[其他]二氧化錫膜溶解法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 86100187 | 申請(qǐng)日： | 1986-01-10 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN86100187A | 公開(kāi)（公告）日： | 1987-07-22 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 施兆順 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 云南師范大學(xué) |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01L31/18 | 分類(lèi)號(hào)： | H01L31/18;H01L21/302;H01L21/461;C23F1/30 |
| 代理公司： | 云南省專(zhuān)利事務(wù)所 | 代理人： | 馬勇剛 |
| 地址： | 云南省昆明市*** | 國(guó)省代碼： | 云南;53 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 氧化 溶解 | ||
【權(quán)利要求書(shū)】：
1、一種溶解附在襯底材料表面的二氧化錫晶體薄膜的方法，在常溫常壓下將附有二氧化錫膜的襯底材料淹沒(méi)于配制的溶液中處理15分鐘后，迅速取出沖凈，其特征在于溶液由濃鹽酸、濃氫氟酸、鈦絲(或鈦粉)組成，濃鹽酸和濃氫氟酸的用量按體積比為80-95%和20-5%，鈦絲(或鈦粉)的用量為每立方米溶液150-200千克。
2、按權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于濃鹽酸和濃氫氟酸的用量按體積比為95%和5%。
下載完整專(zhuān)利技術(shù)內(nèi)容需要扣除積分，VIP會(huì)員可以免費(fèi)下載。
該專(zhuān)利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)。該專(zhuān)利全部權(quán)利屬于云南師范大學(xué)，未經(jīng)云南師范大學(xué)許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專(zhuān)利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://m.szxzyx.cn/pat/books/86100187/1.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專(zhuān)利網(wǎng)。
- 同類(lèi)專(zhuān)利
- 專(zhuān)利分類(lèi)
H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專(zhuān)門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專(zhuān)門(mén)適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件；專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過(guò)該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個(gè)或多個(gè)電光源，如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專(zhuān)門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專(zhuān)門(mén)適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件；專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過(guò)該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個(gè)或多個(gè)電光源，如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
