[其他]二氧化錫膜溶解法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 86100187
• 申請日: 1986-01-10
• 公開（公告）號: CN86100187A
• 公開（公告）日: 1987-07-22
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 施兆順
• 申請（專利權(quán)）人: 云南師范大學(xué)
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L21/302;H01L21/461;C23F1/30
• 代理公司: 云南省專利事務(wù)所
• 代理人: 馬勇剛

本發(fā)明是清除附在襯底材料表面的二氧化錫透明導(dǎo)電晶體薄膜的方法。

二氧化錫晶體薄膜是一種比較理想的半導(dǎo)體薄膜，它所具有的光學(xué)電學(xué)等物理特性使之在不少技術(shù)領(lǐng)域得到廣泛的應(yīng)用。由于制成二氧化錫膜的工藝成品率不可能百分之百，因而必須清除非成品上的二氧化錫膜，使襯底材料或器皿得以回收使用。對于清除二氧化錫膜的方法，曾有過用強(qiáng)堿或氫氟酸、或二氧化硅腐蝕液的嘗試，但都溶解不完全，留有斑塊;襯底材料被嚴(yán)重剝蝕或留下腐蝕坑，使襯底材料不能再用。

本發(fā)明的目的是提供一種在常溫常壓下，既能迅速、完全溶解二氧化錫膜，又不腐蝕襯底材料的溶解二氧化錫膜的方法。

本發(fā)明的要點(diǎn)在于在常溫常壓下配制具有強(qiáng)酸性、還原性和絡(luò)合性的溶液，將附有二氧化錫膜的襯底材料淹沒于其中，適當(dāng)加熱（也可不加熱）至大量氣泡產(chǎn)生，十五分鐘后取出，迅速用純水沖凈。該溶液由濃鹽酸、濃氫氟酸和鈦絲（或鈦粉）組成。濃鹽酸和濃氫氟酸的用量按體積比可以為80-95%和20-5%，以95%和5%效果最佳。鈦絲（或鈦粉）的用量以保證溶解過程中不斷產(chǎn)生氫氣為準(zhǔn)，一般每立方米溶液加入150-200千克。

本發(fā)明用于制備SIS太陽電池時，將附有二氧化錫膜的硅片（膜的面積均為480平方厘米）置入2×10^-4立方米體積比為95%的濃鹽酸和5%的濃氫氟酸溶液中，溶液中加入3×10^-2千克鈦絲，處理后的硅片無二氧化錫膜，表面平整光滑，晶相顯微鏡下看不到斑點(diǎn)和腐蝕坑，用該硅片制成的太陽電池和新硅片的性能相同。

本發(fā)明操作簡便，能迅速完全溶解二氧化錫膜，不腐蝕襯底材料，且成本低。