[其他]雙極晶體管

無效

• 申請號: 86100558
• 申請日: 1986-04-16
• 公開（公告）號: CN1003334B
• 公開（公告）日: 1989-02-15
• 發明（設計）人: 田端輝夫
• 申請（專利權）人: 三洋電機株式會社
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利代理部
• 代理人: 馬連富;許新根

1、一種雙極晶體管，它包括，第1導電型的半導體襯底、在上述襯底的表面層部分區域上形成的第2導電型的高濃度內埋層、覆蓋上述襯底的整個表面并埋置上述內埋層的第2導電型的外延層、包圍上述內埋層并從上述外延層的表面貫通至襯底的第1導電型的高濃度隔離區、被上述隔離區包圍而分隔成島狀的并由上述外延層構成的第2導電型的集電區、在上述集電區的表面層部分區域上形成的第1導電型的基區和在上述基區的表面層部分區域上形成的第2導電型的高濃度發射區，在上述集電區的表面層上同上述基區和上述隔離區雙方接界的第2導電型的高濃度的第1區域，其特征是通過抑制發生在上述基區和第1區的PN結和上述隔離區和第1區的PN結上的耗盡層幅度，從而使上述基區和上述隔離區的間隔距離縮小。

2、根據權利要求1所述的雙極晶體管，其特征在于上述內埋層比由上述外延層構成的集電區的底面要寬，并與上述隔離區相接觸，由此防止寄生晶體管效應。

3、根據權利要求1所述的雙極晶體管，其特征在于在由上述外延層構成的集電區內的邊界部分，還具有從上述外延層表面貫通至上述襯底的第2導電型的高濃度第2區域，由此防止寄生晶體管效應。

4、根據權利要求1所述的雙極晶體管，其特征在于第1導電型是P型，第2導電型是N型。