[其他]半導(dǎo)體集成電路器件及其制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 86100841
• 申請日: 1986-01-31
• 公開（公告）號: CN86100841A
• 公開（公告）日: 1986-07-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 甲藤久郎;奧山幸祐
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社日立制作所
• 主分類號: H01L27/04
• 分類號: H01L27/04;H01L21/72
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進委員會專利代理部
• 代理人: 趙越

1、一半導(dǎo)體集成電路器件包括：

一半導(dǎo)體襯底，

一個第一導(dǎo)電型的第一種MOSFET是在上述的半導(dǎo)體襯底上形成的，並且具有一個源和漏區(qū)，該源和漏區(qū)包括一個高雜質(zhì)濃度的第一半導(dǎo)體區(qū)和一個具有低于上述第一半導(dǎo)體區(qū)雜質(zhì)濃度的第二半導(dǎo)體區(qū)，並比上述第一半導(dǎo)體區(qū)更加靠近溝道邊；和

一個第一個導(dǎo)電型的第二種MOSFET是在上述的半導(dǎo)體襯底上形成的。它具有一個源和漏區(qū)，該源和漏區(qū)包括一個具有比上述第二半導(dǎo)體區(qū)雜質(zhì)濃度高的第三個半導(dǎo)體區(qū)，是用與上述第二和第二半導(dǎo)體區(qū)不同的工藝步驟形成的，上述第二MOSFET的上述源和漏區(qū)是與一個焊點相連接的。

2、根據(jù)權(quán)利要求1，一半導(dǎo)體集成電路器件，其中上述的第一和第二種MOSFET是N-溝道MOSFET_S，上述的第一、第二和第三半導(dǎo)體區(qū)分別由引入砷、磷和磷到上述半導(dǎo)體襯底上而形成的。

3、根據(jù)權(quán)利要求2，一半導(dǎo)體集成電路器件，其中上述的第三半導(dǎo)體區(qū)的雜質(zhì)濃度至少是1×10¹⁹/Cm³。

4、根據(jù)權(quán)利要求2，一半導(dǎo)體集成電路器件，進一步包括一個P-溝道型的第三種MOSFET，它是在上述半導(dǎo)體襯底上形成的。

5、根據(jù)權(quán)利要求4，一半導(dǎo)體集成電路器件，其中上述的第三半導(dǎo)體區(qū)的雜質(zhì)濃度至少是1×10¹⁹/Cm³。

6、根據(jù)權(quán)利要求4，一半導(dǎo)體集成電路器件，其中上述的第三半導(dǎo)體區(qū)內(nèi)包括一個區(qū)，該區(qū)是同上述形成第二半導(dǎo)體區(qū)相同工藝步驟形成的。

7、根據(jù)權(quán)利要求4，一半導(dǎo)體集成電路器件，其中上述的第三半導(dǎo)體區(qū)內(nèi)包括一個區(qū)，該區(qū)是用形成上述第一半導(dǎo)體區(qū)同樣的工藝步驟形成的。

8、根據(jù)權(quán)利要求4，一半導(dǎo)體集成電路器件進一步包括側(cè)壁間隔區(qū)，這些間隔區(qū)是在上述第一、第二和第三種MOSFET_S的每一柵電極的兩側(cè)形成的。

其中，上述的第一半導(dǎo)體區(qū)是由上述第一種MOSFET的上述柵電極和上述側(cè)壁間隔區(qū)所確定的，以及上述的第二半導(dǎo)體區(qū)是由上述的第一種MOSFET的上述柵電極所確定的。

9、一半導(dǎo)體集成電路器件包括：

半導(dǎo)體襯底;

第一導(dǎo)電型的第一種MOSFET，它是在上述半導(dǎo)體襯底上形成的，並且有一個源和漏區(qū)，該源和漏區(qū)包括高雜質(zhì)濃度的第一半導(dǎo)體區(qū)，還有一個具有雜質(zhì)濃度低于上述的第一半導(dǎo)體區(qū)，而且形成在比第一半導(dǎo)體區(qū)更加靠近溝道側(cè)的第二半導(dǎo)體區(qū)。

第一導(dǎo)電型的第二種MOSFET是在上述半導(dǎo)體襯底上形成的，而且它具有一個源和漏區(qū)，該源和漏區(qū)包括一個雜質(zhì)濃度比上述第二個半導(dǎo)體區(qū)高的一個第三半導(dǎo)體區(qū)，它是用不同于上述的第一和第二半導(dǎo)體區(qū)的工藝步驟形成的;和

一個電阻的一端與上述的第二種MOSFET的源和漏區(qū)相連接，該電阻是由一個半導(dǎo)體區(qū)制成的，是用與上述第三半導(dǎo)體區(qū)同樣的工藝步驟形成的，該電阻的另一端是與一個焊點相連接。

10、在半導(dǎo)體襯底上形成的第一和第二種MOSFET的半導(dǎo)體集成電路器件的制作方法包括：

在上述半導(dǎo)體襯底上形成上述第一和第二種MOSFET_S的柵電極的工藝步驟;

將低濃度的第一導(dǎo)電型雜質(zhì)至少引入到一個區(qū)以形成第一種MOSFET的工藝步驟，是利用上述的柵電極作為掩膜的，從而形成第一半導(dǎo)體區(qū);

在上述第一和第二種MOSFET_S的每一個上述柵電極的兩邊上形成側(cè)壁間隔的工藝步驟;

將第一導(dǎo)電型的雜質(zhì)引入到一個區(qū)以形成上述的第二種MOSFET的工藝步驟，是采用上述的第二MOSFET的上述柵電極的那里的上述側(cè)壁間隔作為掩膜的，從而形成了作為上述第二MOSFET的源和漏區(qū);上述的第二半導(dǎo)體區(qū)的雜質(zhì)濃度比上述第一半導(dǎo)體區(qū)的雜質(zhì)濃度高;和

將第一導(dǎo)電型的雜質(zhì)引入到上述至少一個區(qū)以形成上述的第一MOSFET，利用上述柵電極和側(cè)壁間隔區(qū)作為掩膜，從而形成了第三半導(dǎo)體區(qū)，上述第三半導(dǎo)體區(qū)的雜質(zhì)濃度比上述的第一半導(dǎo)體區(qū)高，上述的第一MOSFET的源或漏區(qū)是由上述的第一和第三半導(dǎo)體區(qū)制備的。