[其他]半導(dǎo)體器件

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 86101789
• 申請(qǐng)日: 1986-03-19
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN86101789A
• 公開(kāi)（公告）日: 1986-11-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 彼得·丹尼斯·斯科維爾;彼得·弗里德·布洛姆利;羅格·萊斯利·巴克
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 標(biāo)準(zhǔn)電話電報(bào)公共有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/04
• 分類號(hào): H01L27/04;H01L21/70;H01L21/04
• 代理公司: 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利代理部
• 代理人: 王以平

1、一種集成電路，它包括一個(gè)具有一個(gè)柵極的MOS晶體管和一個(gè)具有與柵材料相同的發(fā)射極的雙極晶體管。

2、一種集成電路，它包括一個(gè)具有一多晶硅柵極的MOS晶體管以及一個(gè)具有一多晶硅發(fā)射極的雙極晶體管。

3、一種如權(quán)利要求2所述的集成電路，其中多晶硅柵極與發(fā)射極是由同一個(gè)多晶硅層制造的。

4、一種如權(quán)利要求2或3所述的集成電路，它包括具有在一種導(dǎo)電類型的襯底上形成的另一導(dǎo)電類型阱的CMOS晶體管，其中雙極晶體管做在相應(yīng)的另一導(dǎo)電類型的阱中，此阱構(gòu)成雙極晶體管的集電極，雙極晶體管的基極為上述相應(yīng)阱中轉(zhuǎn)彎成第一種導(dǎo)電類型的第一個(gè)區(qū)域，并與CMOS晶體管的一個(gè)MOS晶體管的源、漏區(qū)同步形成，該MOS晶體管做在此種導(dǎo)電類型的相應(yīng)阱中，雙極晶體管的第一個(gè)區(qū)域由橋接的基區(qū)相連，而其中多晶硅發(fā)射極通過(guò)埋在多晶硅發(fā)射極下面的氧化層上的一個(gè)窗口與橋接的基區(qū)相連。

5、一種由權(quán)利要求2或3所述的集成電路，它包括具有在一種導(dǎo)電類型的襯底上形成的另一導(dǎo)電類型阱的CMOS晶體管，其中雙極晶體管做在置于另一導(dǎo)電類型阱內(nèi)的第一導(dǎo)電類型的阱中，第一種導(dǎo)電類型的阱構(gòu)成雙極晶體管的集電極，雙極晶體管的基極為上述第一種導(dǎo)電類型阱中轉(zhuǎn)彎成另一種導(dǎo)電類型的第二個(gè)區(qū)域，并與CMOS晶體管的一個(gè)MOS晶體管的源、漏區(qū)同步形成，該MOS晶體管直接做在襯底上，雙極晶體管的第二個(gè)區(qū)由橋接式基區(qū)相連，而其中多晶硅發(fā)射極通過(guò)埋在多晶硅發(fā)射極下面的氧化層上的一個(gè)窗口與橋接的基區(qū)相連。

6、一種制造包括雙極和MOS晶體管在內(nèi)的集成電路的方法，其中包括用同一種材料形成MOS晶體管柵及雙極晶體管發(fā)射極的方法。

7、一種制造包括雙極和MOS晶體管在內(nèi)的集成電路的方法，其中包括用多晶硅形成MOS晶體管柵及雙極晶體管發(fā)射極的方法。

8、一種制造如權(quán)利要求7所述的集成電路的方法，其中MOS晶體管柵和雙極晶體管發(fā)射極在一共同的多晶硅層上形成。

9、一種制造如權(quán)利要求8所述的集成電路的方法，其中包括帶有在一種導(dǎo)電類型的襯底上另一導(dǎo)電類型阱的CMOS晶體管，這里的雙極晶體管與CMOS晶體管同步做在相應(yīng)的第一種導(dǎo)電類型的阱中，該阱構(gòu)成雙極晶體管的集電極，該雙極晶體管除了附加了兩道工藝外，所用的工藝與做在同一種導(dǎo)電型阱中的CMOS的MOS晶體管所需的相同，附加的第一道工藝在相當(dāng)于另一導(dǎo)電型阱中的MOS晶體管的源、漏區(qū)的兩個(gè)區(qū)域之間形成橋接式基區(qū)由此形成雙極晶體管的基極，附加的第二道工藝在埋于多晶層下的氧化層上開(kāi)一個(gè)窗口，多晶發(fā)射極通過(guò)此窗口與雙極晶體管的基極相接。

10、一種制造如權(quán)利要求8所述的集成電路的方法，其中包括帶有在一種導(dǎo)電類型的襯底上的另一導(dǎo)電類型阱的CMOS晶體管，其中雙極晶體管做在置于另一種導(dǎo)電類型阱中的第一種導(dǎo)電類型的阱內(nèi)，該阱構(gòu)成雙極晶體管的集電極，雙極晶體管與CMOS晶體管同步形成，所用工藝除了增加兩個(gè)工藝步驟外與在襯底上直接做出的CMOS晶體管的MOS晶體管所需的相同，所增的第一步工藝是為了在相當(dāng)于在襯底上形成MOS晶體管的源和漏區(qū)的兩個(gè)區(qū)域間形成橋接式基區(qū)，由此形成雙極晶體管的基極，所增的第二步工藝是在雙極晶體管的多晶層下的氧化層上開(kāi)一個(gè)窗口，由此形成多晶發(fā)射極與雙極晶體管的基極的接觸。

11、一種制造如權(quán)利要求8所述的集成電路的方法，其中包括帶有在相反導(dǎo)電類型的襯底上形成的第一種導(dǎo)電類型的阱的CMOS晶體管，其中雙極晶體管與CMOS晶體管同步做在相應(yīng)的第一種導(dǎo)電類型的阱中，而且所用工藝相同，雙極晶體管的加工包括增加兩個(gè)掩模的工序以及一個(gè)注入工序，該工序用來(lái)完成雙極晶體管基區(qū)的結(jié)構(gòu)并獲得多晶硅發(fā)射極與基區(qū)間的接觸。

12、一種用如權(quán)利要求6到11中任一條所要求的方法制成的集成電路。