[其他]半導體器件及其制造方法

無效

• 申請號: 86103174
• 申請日: 1986-05-07
• 公開（公告）號: CN86103174A
• 公開（公告）日: 1986-11-19
• 發明（設計）人: 小池淳義;目黑憐;池田修二;竹田敏文
• 申請（專利權）人: 株式會社日立制作所
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L29/72;H01L29/76;H01L21/02;H01L21/70;H01L21/28
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利代理部
• 代理人: 王以平

1、多層布線半導體器件，其特征為具有半導體器件形成于其上的襯底，由與上述襯底不同的材料加工成形的，用于在電氣上連通設置在上述襯底上的半導體器件的下層布線膜、設置在下層布線膜兩側壁的側墻，在上述下層布線膜上隔著層間絕緣膜而設置的上層布線膜。

2、在權利要求1中，側墻由絕緣材料構成。

3、在權利要求1中，側墻由氮化硅材料構成。

4、在權利要求1中，下層布線膜由以鋁為主要成份的布線材料構成。

5、在權利要求1中，襯底上形成的半導體器件中至少包含有MOS場效應晶體管。

6、在權利要求1中，襯底上形成的半導體器件中，至少包含有CMOS集成電路。

7、在權利要求1中，襯底上形成的半導體器件中，至少包含有雙極型晶體管。

8、多層布線的半導體器件其特征是具有下層金屬布線膜，在下層金屬布線膜的側壁設置的側墻，以及隔著層間絕緣膜設置在下層金屬布線膜之上的布線膜。

9、在權利要求8中，側墻由絕緣材料構成。

10、在權利要求8中，側墻由氮化硅材料構成。

11、在權利要求8中，下層布線膜由以鋁為主要成分的布線材料構成。

12、在具有PN結的半導體襯底上形成多層布線的半導體器件的制造方法，其特征在于：

形成金屬布線膜的工序;

在上述金屬布線膜的側壁形成側墻的工序;

在上述金屬布線膜及側墻的整個表面形成層間絕緣膜的工序;

在上述層間絕緣膜上形成引線孔的工序;

在上述具有引線孔的層間絕緣膜上形成布線膜的工序。

13、在權利要求12中，金屬布線膜使用以鋁為主要成分的材料。

14、在權利要求12中，側墻使用絕緣材料。

15、在權利要求12中，金屬布線膜使用以鋁為主要成分的布線材料，側墻的形成是由CVD法形成氮化硅膜之后，由各向異性的RIE法有選擇地蝕刻去除氮化硅膜來進行的。

16、在權利要求12中，層間絕緣膜使用PSG膜。

17、由權利要求12所述制造方法所形成的半導體器件。

18、本發明涉及的在具有PN結的半導體襯底上形成多層布線的半導體器件的制造方法，其特征在于：

在半導體襯底上形成具有PN結的半導體器件的工序;

在半導體襯底上形成第一層布線膜的工序;

用與上述布線膜不同的材料形成復蓋上述布線膜的第二層膜的工序;

對上述第二層膜進行蝕刻，在上述布線膜的側壁形成側墻的工序;

形成復蓋上述第一層布線膜和側墻的第三層層間絕緣膜的工序;

在上述層間絕緣膜上形成引線孔的工序;

在具有上述引線孔的層間絕緣膜上形成第四層布線膜的工序。

19、在權利要求18中，形成側墻所用的蝕刻工序采用RIE（Reaction??Ion??Etching反應性離子蝕刻）各向異性蝕刻法。

20、在權利要求18中，其特征為第二層膜使用由絕緣材料構成的膜，該絕緣材料由CVD（Chemical??Vapor??Deposition）法形成，側墻的形成是對上述CVD法形成的絕緣膜用各向異性的蝕刻法進行蝕刻而成的。

21、在權利要求18中，第一層布線膜使用以鋁為主要成分的布線材料，第二層膜以氮化硅為材料，用CVD法形成該材料，側墻的形成使用RIE法的蝕刻工藝進行。

22、在權利要求18中，在半導體襯底上形成具有PN的半導體器件的工藝，是在硅基板上形成具有柵極的MIS集成電路。

23、在權利要求18中，在半導體基板上形成具有PN結的半導體器件的工藝，是在硅基板上形成具有柵極的LDD構造的MIS集成電路。

24、由權利要求18所述的制造工藝形成的半導體器件。