[其他]數據處理方法

無效

• 申請號: 86105632
• 申請日: 1986-08-09
• 公開（公告）號: CN86105632A
• 公開（公告）日: 1987-04-22
• 發明（設計）人: 東海龍男;阿部亨;光石知國;武居一郎
• 申請（專利權）人: 株式會社日立制作所
• 主分類號: G11C17/06
• 分類號: G11C17/06;H01L21/70
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利代理部
• 代理人: 胡偉炯,劉德輝

1、一種由下述工序組成的數據處理方法：

(1)在電子器件的存貯器中貯存數據，該電子器件具有上述存貯器和將該存貯器注模的成型件；及

(2)在上述存貯器中擦除所存貯的數據，上述擦除工序包括X射線照射處理和熱處理。

2、根據權項1所指數據處理方法，上述注模成型件包括樹脂和封裝上述的存貯器。

3、根據權項1所指數據處理方法，上述X射線照射處理是由上述注模成型件的外部施加的。

4、根據權項1所指數據處理方法，上述X射線照射處理是使用軟X射線實現的。

5、根據權項1所指數據處理方法，上述X射線照射處理是使用波長大于幾個埃（）的X射線來實現的。

6、根據權項5所指數據處理方法，上述X射線的照射時間小于60分鐘。

7、根據權項1到6中任一權項所指數據處理方法，上述X射線照射處理是通過對上述電子器件照射10至20分鐘所述的X射線，這些X射線是由碰撞電子產生的，這些碰撞電子是在30千伏（KV）到40千伏（KV）電壓和30毫安（mA）到40毫安（mA）電流條件下加速撞擊到鉻（Cr）靶，以產生所述的X射線。

8、根據權項1所指數據處理方法，上述熱處理是通過在125℃到220℃范圍內的一定溫度實現對上述電子器件加熱的，以使X射線照射上述存貯器引起空穴-電子對的空穴任何影響為最小。

9、根據權項8所指數據處理方法，上述熱處理的實現至少需4小時。

10、根據權項8所指數據處理方法，上述熱處理是在相對濕度從40%到50%的環境下進行的。

11、根據權項10所指數據處理方法，上述熱處理是在非氧化環境下進行的。