[其他]數據處理方法

無效

• 申請號: 86105632
• 申請日: 1986-08-09
• 公開（公告）號: CN86105632A
• 公開（公告）日: 1987-04-22
• 發明（設計）人: 東海龍男;阿部亨;光石知國;武居一郎
• 申請（專利權）人: 株式會社日立制作所
• 主分類號: G11C17/06
• 分類號: G11C17/06;H01L21/70
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利代理部
• 代理人: 胡偉炯,劉德輝

本發明涉及一種數據處理方法，這種方法處理已存入電子器件存儲器中的數據。特別是，本發明涉及一種將存入如EPROM（可編程擦除只讀存儲器）非易失性存儲器中的數據擦除的方法。

數據一旦存在用MOSFET（絕緣柵場效應半導體）制成的EPROM中，便可以用紫外線通過裝在封裝表面的窗口照射到芯片上的辦法加以擦除。但是，裝有玻璃窗口的陶瓷封裝生產起來很昂貴，因此，可以用樹脂（塑料）封裝來降低生產成本。其典型產品為日立公司所生產的HN482764????P-3。盡管這種ROM能夠以低成本進行生產，但其存儲的數據卻不能用紫外線照射的辦法加以擦除。這種ROM被稱之為“OTP（一次性電改寫可編程）ROM”。對這種數據不能擦除型的ROM而言，最大的問題是，在產品的最終檢測工序中得不到令人滿意的可靠性。換句話說，盡管最好是在這種情況下，即存儲器中沒有任何數據寫入，用戶可以自由地寫入數據的情況下將產品出廠，但是在這種情況下卻不能進行如數據的寫特性那樣的可靠性試驗。因此，為了提高測試的可靠性，通常的做法是對每批產品抽出予定數量的試樣，然后對試樣進行實際讀或寫測試，如果試樣中即使有一個證明是不合格品，則就要報廢這一批產品。

也就是說，為了保證產品的可靠性，簡單地只要因為抽出的試樣被證實有不合格品，無論在這批產品中還有多少合格的產品，所有這批產品均被視為不合格的，并且全部報廢。按照這種測試方法，就存在著一種可能性，即在要報廢的這批產品中，還有大量合格的產品，這對于半導體器件制造廠家來說是一個極大的損失。

為了解決這個問題，有一個先有技術實例已由日本專利公開號75496/1984所披露。這個先有技術所涉及的是屬于一種用塑料注模成型材料密閉封裝的EPROM數據擦除裝置。這種數據擦除裝置的特征在于，用一最佳數量的X射線照射在用塑料注模成型材料所注模成型的EPROM上，以擦除EPROM中的數據。這個裝置裝有一個快門，當EPROM中的數據擦除完畢的時刻，切斷照射在EPROM上的X射線。

本發明人在開發可靠地擦除先前寫入ROM內的數據的技術方面作了進一步研究。這種技術既能把芯片上部完全用一種對紫外線不透明的注模成型件完全密封起來的ROM（如OTROMS）中已寫入的數據擦掉，又不需要如EEPROM那樣復雜的電子擦除機理，并且能夠改善如寫特性及數據保持特性那樣的器件特性。本發明就是基于這些研究而完成的。

有關本發明的研究說明如下。要是采用僅僅依靠照射X射線的擦除方法，在一定程度上可以將存在存儲單元中的數據加以擦除，但擦除特性令人不滿意。而且重寫特性及數據保持特性也令人不滿意。其原因之一可以歸結為，由于X射線的照射，設想使存儲器單元的柵氧化膜中及存儲器單元的柵氧化膜與硅襯底的界面中存在損傷而引起的。由于X射線的照射，當存儲器單元柵氧化膜及硅襯底中所產生的空穴-電子對中的空穴（正電荷）被俘獲到柵氧化膜能級或者柵氧化膜與硅襯底邊界的能級時，可以推測，這種損傷會進一步發展。

因此，本發明的目標在于提供一種數據處理的技術，它能夠可靠地擦除OTPROM或類似存儲器中的數據，并且能夠改善重寫特性和數據保持的特性。

下面所公開的就是本發明的一個具有代表性的例子。

按照本發明進行數據處理的方法，包括一個向存儲器存入數據的工序和擦除已存入存儲器中的數據的工序，在數據擦除工序中，包括X射線照射處理及熱處理。

換言之，在數據存儲工序之后，為了可靠地擦除事先寫入存儲器單元中的數據，要從注模成型件的外部照射進具有合適能量的X射線，并且進行熱處理（退火），而按照慣例，是不進行這種熱處理的。（退火也可以與X射線照射同時進行）。

用于X射線照射的X射線的品質及其照射時間與所引起存儲單元損傷的數量密切有關。因此，本發明采用具有某種品質的X射線在一定的時間內照射，這樣做，X射線能夠穿透注模成型件，但又不會給存儲單元以過度的損傷。進而，與本發明的數據處理方法中最重要因素之一的熱處理（退火）工序有關的退火必要性，適當的溫度范圍，退火的時間以及退火的環境（例如濕度）都將在下面加以說明。