[其他]非晶碳-非晶曬復(fù)印感光體(復(fù)印鼓)

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 86107478
• 申請日: 1986-10-28
• 公開（公告）號: CN86107478A
• 公開（公告）日: 1988-01-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王若寶;何大韌
• 申請（專利權(quán)）人: 西北大學(xué)
• 主分類號: G03G5/08
• 分類號: G03G5/08;G03G5/082
• 代理公司: 西北大學(xué)專利事務(wù)所
• 代理人: 朱恪孝,李衛(wèi)國

1、一種用于復(fù)印機使用的復(fù)印感光體(復(fù)印鼓)，其特征在于它有a-c∶H膜層。

2、按照權(quán)項要求1所述的復(fù)印鼓，其特征在于其上的a-O：H膜層是在通常方法所制備的a-Se合金和a-Se膜層上，用直流或交流輝光放電法，使乙炔（C₂H₂）或戍烷（C₅H₁₂）或其它碳氫化合物分解并沉積而制備的。

3、按照權(quán)項1、2所述的復(fù)印鼓，其特征在于a-O：H膜層厚在3微米以下。

4、按照權(quán)項2所述的復(fù)印鼓，其特征在于沉積a-O：H膜層時，鋁鼓基的溫度0-80℃。

5、按照權(quán)項2所述的復(fù)印鼓，其特征在于輝光放電分解法沉積a-O：H膜的速率為0.1-10埃/秒。