[其他]非晶碳-非晶曬復(fù)印感光體(復(fù)印鼓)

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 86107478
• 申請日: 1986-10-28
• 公開（公告）號: CN86107478A
• 公開（公告）日: 1988-01-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王若寶;何大韌
• 申請（專利權(quán)）人: 西北大學(xué)
• 主分類號: G03G5/08
• 分類號: G03G5/08;G03G5/082
• 代理公司: 西北大學(xué)專利事務(wù)所
• 代理人: 朱恪孝,李衛(wèi)國

本發(fā)明是關(guān)于復(fù)印機(jī)中使用的一種新型復(fù)印感光體（復(fù)印鼓）及其制造方法。

當(dāng)前復(fù)印技術(shù)中使用的復(fù)印感光體（復(fù)印鼓），按制造復(fù)印感光體（復(fù)印鼓）所用的光導(dǎo)性絕緣材料分，有非晶態(tài)硒（包括硒合金）鼓、氧化鋅鼓、硫化鎘鼓、有機(jī)光導(dǎo)材料鼓、非晶態(tài)硅鼓等。其中以a-Se或a-Se合金（非晶態(tài)硒）鼓使用量最大。按復(fù)印鼓結(jié)構(gòu)分有單層結(jié)構(gòu)：如a-Se/Al結(jié)構(gòu)的非晶態(tài)硒鼓;多層結(jié)構(gòu)鼓：如a-Se-Te合金/a-Se/Al鼓，Si₃N₄/a-Si/Al鼓，SiC/a-Si/Al鼓，a-Si/SiC或Si₃N₄/Al鼓等。用a-Se及a-Se合金制成的復(fù)印感光體（復(fù)印鼓）具有良好的復(fù)印性能，制造工藝簡單、成本低等優(yōu)點(diǎn)。但也有一些重要缺點(diǎn)，一是硒或硒合金硬度很低，極易擦傷和磨損。二是熔點(diǎn)、玻璃轉(zhuǎn)變溫度、結(jié)晶化溫度低，在復(fù)印過程中不斷受到熱、光、電等物理因素的作用，使a-Se或a-Se合金很容易改性，使復(fù)印性能劣化。由于這兩方面的原因，a-Se或a-Se合金復(fù)印感光體（復(fù)印鼓）的使用壽命較短。一般廠家選取復(fù)印5萬張作為壽命標(biāo)準(zhǔn)，大約一年到一年半就需更換復(fù)印鼓。給用戶經(jīng)濟(jì)上增加了負(fù)擔(dān)和工作上帶來了不便。

本發(fā)明的目的是為了提供既具有優(yōu)異的機(jī)械性能和抗磨損能力、物理、化學(xué)穩(wěn)定性高，又可提高使用壽命、制造工藝簡單、經(jīng)濟(jì)合算的一種新型的非晶碳-非晶硒復(fù)印感光體（結(jié)構(gòu)為a-c：H/a-Se或a-Se合金/Al）。

本發(fā)明采用了非晶態(tài)材料a-C：H（含氫非晶態(tài)碳）。新復(fù)印感光體（復(fù)印鼓）是在予先加工好的鋁（Al）鼓基上，先沉積a-Se膜和a-Se合金膜、然后再沉積一層較薄的a-C：H膜而制成的。a-Se合金膜和a-Se膜的沉積方法是通常的真空蒸發(fā)鍍膜。a-C：H膜是采用直流或高頻輝光放電法制備的。把乙炔（C₂H₂）或戍烷（C₅H₁₂）或其它氣態(tài)碳?xì)浠衔镉脷澹ˋr）、氫（H₂）或氮（N₂）稀釋后通入輝光放電反應(yīng)室，混合氣體的流量為0.1-1.0升/分，鋁鼓基襯底溫度0-80℃。加上直流或交流高壓產(chǎn)生輝光放電，使氣態(tài)碳?xì)浠衔锓纸?，分解出來的含氫碳即沉積在a-Se或a-Se合金膜層上。沉積a-C：H膜時生長速率控制在0.10-10/秒，生長速率不宜快，太快成膜的質(zhì)量不好。沉積的a-C：H膜厚度在3微米以下為宜。這樣，a-C：H/a-Se合金和a-Se/Al復(fù)印感光體（復(fù)印鼓）即可制成。新型復(fù)印感光體（復(fù)印鼓）也可以在制備硒鼓的鍍膜機(jī)內(nèi)一次完成，鍍膜機(jī)加以改裝，在蒸鍍完a-Se和a-Se合金膜后，停止硒源的加熱電流，然后通入N₂趕出殘余的硒蒸汽，再通入反應(yīng)混合氣，加上高壓進(jìn)行輝光放電分解乙炔或戍烷沉積a-C：H膜，制備過程中鋁鼓膜基應(yīng)不停地轉(zhuǎn)動，使大面積均勻成膜即可制得。