[其他]線性厚膜負溫度系數熱敏電阻器無效
| 申請號： | 86108011 | 申請日： | 1986-11-15 |
| 公開（公告）號： | CN86108011B | 公開（公告）日： | 1988-10-26 |
| 發明（設計）人： | 熊世英 | 申請（專利權）人： | 國營宏明無線電器材廠 |
| 主分類號： | H01C7/04 | 分類號： | H01C7/04;H01C7/00 |
| 代理公司： | 成都專利事務所 | 代理人： | 溶蘭 |
| 地址： | 四川省成*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 線性 厚膜負 溫度 系數 熱敏 電阻器 | ||
1、一個負溫度系數厚膜熱敏電阻器，包括一個瓷基片、一個印刷于瓷基片上的熱敏電阻器，一對電極和外部連接引線，其特征在于：
a、在同一塊瓷基片的正面和反面，分別印刷第一個熱敏電阻M1與第二個熱敏電阻M2，此兩個熱敏電阻都是負溫度系數熱敏電阻器。將第一個熱敏電阻M1與第二個熱敏電阻M2串聯。M1與M2串聯時，合成電阻值RM為兩個熱敏電阻電阻值之和。
RM＝RM1+RM2
其中RM：合成電阻器的電阻值。
RM1：第一個熱敏電阻M1的電阻值。
RM2：第二個熱敏電阻M2的電阻值。
b、先在瓷基片上印刷M1電阻，其阻值比為R25/R50＝1.22±2%，R25＝5000Ω±2%。
R25為溫度為25℃時，M1的零功率電阻值
R50的溫度為50℃時，M1的零功率電阻值
c、然后印制M2電阻，印制M2電阻的方法為在M1電阻的線性溫度區域Tp～TQ內，使RM2T＜εRT，并保持在轉折點TQ處的阻值RM2Q≤0.1%RTQ，在M1電阻的低溫段非線性溫度區域TP～TQ內，使M2電阻的阻值RM2T≈0.1%RT，調節M2電阻的阻值，使其在全溫區中的△B值≤±5%。在M1電阻的高溫段非線性溫度區域TQ～TH內，使M2電阻的阻值RM2T≤0.1%RT。
2、根據權利要求1所述的厚膜熱敏電阻器，其特征為第一個熱敏電阻M1的漿料由CoNi(1-X)Mn(1+X)O4基料、RuO2導電玻璃、Ag粉以及玻璃粘合劑組成，其中X＝0.35～0.55，此漿料中熱敏基料：導電玻璃：粘合劑玻璃（重量比）為
100∶（20～30）∶（30～40）
導電玻璃中RuO2的含量為15～25%，Ag粉的加入量為RuO2的10～30%
3、根據權利要求1所述的厚膜熱敏電阻器，其特征為第二個熱敏電阻M2的漿料由MnCu(1-X)Co(1+X)O4基料，（X值取0.5～0.9），以及RuO2、Ag粉和玻璃粘合劑所組成，其中RuO2/Ag＝1（重量比），漿料B＝3400°K。
4、根據權利要求1所述的厚膜熱敏電阻器，其特征為瓷基片長5mm，寬3mm，厚0.6mm。
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