[其他]線性厚膜負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻器無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 86108011 | 申請(qǐng)日: | 1986-11-15 |
| 公開(公告)號(hào): | CN86108011B | 公開(公告)日: | 1988-10-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 熊世英 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 國(guó)營(yíng)宏明無(wú)線電器材廠 |
| 主分類號(hào): | H01C7/04 | 分類號(hào): | H01C7/04;H01C7/00 |
| 代理公司: | 成都專利事務(wù)所 | 代理人: | 溶蘭 |
| 地址: | 四川省成*** | 國(guó)省代碼: | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 線性 厚膜負(fù) 溫度 系數(shù) 熱敏 電阻器 | ||
本發(fā)明的技術(shù)領(lǐng)域是厚膜負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻器。
一般的厚膜熱敏電阻其阻值-溫度特性曲線是指數(shù)規(guī)律變化,即RT=RTOEXP〔B(1/T-1/To)〕其中
RT:熱敏電阻溫度為T(K)時(shí)的電阻值。
RTo:熱敏電阻溫度為To=298.15K時(shí)的電阻值。
B:熱敏電阻的材料常數(shù)。
為使RT-T特性近似于線性變化,B值必須控制在200K以下,這必然導(dǎo)致TCR明顯降低。例如,當(dāng)B=38°K時(shí),非線性偏離度ε≤±1%,但TCR≈-4×10-4/°K,這是普通碳膜電阻都能達(dá)到的。當(dāng)B=160°K時(shí),TCR約為-1.8×10-3/°K,但線性溫區(qū)只有-10~+10℃的范圍,因此,單純從降低熱敏電阻常數(shù)的角度制造線性熱敏電阻并非良策。
日本特許公開昭57-208105采用SnO2-TiO2-RuO2漿料研制了一系列B<500K的配方,但仍是指數(shù)特性,非線性偏離度ε≤±1%的溫區(qū)只有-10~+10℃,公開特許公報(bào)昭58-2001采用重量百分比為30~90%的尖金石或金紅石結(jié)構(gòu)的氧化物和重量百分比為2~70%的含有5~60%的氧化釕(RuO2)玻璃粉末所制成的厚膜熱敏電阻配方,其B約為2700°K左右,也是非線性的。綜上所述,厚膜熱敏電阻的線性化是一個(gè)長(zhǎng)期未解決的技術(shù)難題。
本發(fā)明的目的在于提供一種非線性偏離度小、線性范圍寬、又不降低始溫度系數(shù)(a1)的厚膜熱敏電阻器。
本發(fā)明的特點(diǎn)是在同一瓷基片上印刷兩個(gè)特性不同的熱敏電阻器將兩個(gè)熱敏電阻串聯(lián)組配,使非線性偏離度減小。
本發(fā)明包括第一個(gè)熱敏電阻M1和第二個(gè)熱敏電阻M2,兩個(gè)熱敏電阻都是負(fù)溫度系數(shù)的。將第一個(gè)熱敏電阻M1與第二個(gè)熱敏電阻M2串聯(lián)。M1與M2串聯(lián)時(shí),合成電阻值RM為兩個(gè)熱敏電阻電阻值之和。
RM=RM1+RM2
其中RM:合成電阻器的電阻值。
RM1:第一個(gè)熱敏電阻M1的零功率電阻值或?qū)嶋H阻值。
RM2:第二個(gè)熱敏電阻M2的零功率電阻值或?qū)嶋H阻值。
M1是亞線性的,M2是線性的,RM1>>RM2
由于M1電阻與M2電阻特性不同,溫度系數(shù)不同、阻值不同,兩個(gè)熱敏電阻特性互為補(bǔ)償。如果M1與M2電阻的阻值及配方選得恰當(dāng),就可以在一定的工作溫度范圍內(nèi),使電阻M1與M2的合成電阻的阻值-溫度曲線接近線性變化,這正是本發(fā)明的特點(diǎn)所在。此外,兩個(gè)熱敏電阻M1與M2印刷于同一瓷基片上,其熱響應(yīng)速度快。
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