[其他]制備沉積膜的方法

無效

• 申請號: 86108685
• 申請日: 1986-12-25
• 公開（公告）號: CN86108685A
• 公開（公告）日: 1987-07-29
• 發明（設計）人: 齊藤惠志;廣岡政昭;半那純一;清水勇
• 申請（專利權）人: 佳能株式會社
• 主分類號: C23C16/00
• 分類號: C23C16/00;C23C16/24;C23C16/44
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利代理部
• 代理人: 劉建國

1、種通過把形成沉積膜的氣態原料和對所說的原料具有氧化作用性質的氣態鹵素氧化劑分別獨立地送入反應空間，由化學反應形成沉積膜的制備沉積膜的方法，包括預先把用于形成價電子控制劑的氣態物質(D)在一個激活空間里激活，形成激活產物，並且將所說的激活產物送入反應空間，以便形成摻雜的沉積膜。

2、根據權利要求1的一種制備沉積膜的方法，其中在膜形成過程中伴隨有熒光產生。

3、根據權利要求1的一種制備沉積膜的方法，其中所說的氣態原料是一種鏈式硅烷化合物。

4、根據權利要求3的一種制備沉積膜的方法，其中所說的鏈式硅烷化合物是一種直鏈式硅烷化合物。

5、根據權利要求4的一種制備沉積膜的方法，其中所說的直鏈式硅烷化合物是用分子式Si_nH_2n+2（n是1-8的整數）表示的。

6、根據權利要求3的一種制備沉積膜的方法，其中所說的鏈式硅烷化合物是一種枝狀鏈式硅烷化合物。

7、根據權利要求1的一種制備沉積膜的方法，其中所說的氣體原料是一種具有環狀硅結構的硅烷化合物。

8、根據權利要求1的一種制備沉積膜的方法，其中所說的氣態原料是一種鏈式鍺化合物。

9、根據權利要求8的一種制備沉積膜的方法，其中所說的鏈式鍺化合物是用分子式Ge_mH_2m+2（m是1-5的整數）表示的。

10、根據權利要求1的一種制備沉積膜的方法，其中所說的氣態原料是氫化錫化合物。

11、根據權利要求1的一種制備沉積膜的方法，其中所說的氣態原料是一種四面體型的化合物。

12、根據權利要求1的一種制備沉積膜的方法，其中所說的氣態鹵素氧化劑包括鹵素氣體。

13、根據權利要求1的一種制備沉積膜的方法，其中所說的氣態鹵素氧化劑包括氟氣。

14、根據權利要求1的一種制備沉積膜的方法，其中所說的氣態鹵素氧化劑包括氯氣。

15、根據權利要求1的一種制備沉積膜的方法，其中所說的氣態鹵素氧化劑包括作為組分的氟原子。

16、根據權利要求1的一種制備沉積膜的方法，其中所說的氣態鹵素氧化劑包括新生態鹵素。

17、根據權利要求1的一種制備沉積膜的方法，其中所說的基底放置在正對著所說的氣態原料和所說的氣態鹵素氧化劑進入所說的反應空間的方向的位置上。

18、根據權利要求1的一種制備沉積膜的方法，其中所說的氣態原料和所說的氣態鹵素氧化劑經過一個多層套管結構的輸送管被送進所說的反應空間。

19、根據權利要求1的一種制備沉積膜的方法，其中所說的氣態物質（D）包括周期表中第ⅢA族的元素。

20、根據權利要求1的一種制備沉積膜的方法，其中所說的氣態物質（D）是乙硼烷（B₂H₆）或氟化硼（BF₃）。

21、根據權利要求1的一種制備沉積膜的方法，其中所說的氣態物質（D）包括周期表中第ⅤA族的元素。

22、根據權利要求1的一種制備沉積膜的方法，其中所說的氣態物質（D）是磷化氫（PH₃）、五氟化磷（PF₅）或砷化氫（AsH₃）。

23、根據權利要求1的一種制備沉積膜的方法，其中所說的氣態物質（D）在被送入激活空間之前，用H₂、He、Ne、Ar、Kr、Xe和Rn中的至少一種氣體加以稀釋。

24、根據權利要求1的一種制備沉積膜的方法，其中用放電、光能或熱能作為在所說的激活空間里的激活手段。