[其他]硫化鉛多晶薄膜的激光敏化方法

無效

• 申請號: 87102141
• 申請日: 1987-03-21
• 公開（公告）號: CN87102141A
• 公開（公告）日: 1988-10-12
• 發明（設計）人: 孫維國;胡榮武
• 申請（專利權）人: 航空工業部第014中心
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01G9/20;G01J5/10
• 代理公司: 航天工業部專利事務所
• 代理人: 馬國祥,王淑慈

1、一種關于PbS紅外光敏元件敏化工藝方法，包括在玻璃襯底上沉淀一層PbS薄膜，其特征在于，采取激光照射的方法做為敏化手段。

2、根據權利要求1的方法，其特征在于，到達PbS薄膜表面的激光功率密度的范圍是100瓦/厘米²～300瓦/厘米²。

3、根據權利要求2的方法，其特征在于，所采用的激光器是二氧化碳氣體激光器。

4、根據權利要求1、2、3其中之一的方法，其特征在于，在敏化過程中，通過觀察元件的顏色變化來判斷敏化情況，確定激光照射的時間。

5、根據權利要求4的方法，其特征在于，當PbS薄膜的顏色呈現藍灰色時停止激光照射。

6、根據權利要求5的方法，其特征在于，對敏化后的光敏元件進行退火處理可以提高其性能和穩定性。

7、根據權利要求6的方法，其特征在于，退火的溫度范圍是135°±10℃。