[其他]硫化鉛多晶薄膜的激光敏化方法無效
| 申請號: | 87102141 | 申請日: | 1987-03-21 |
| 公開(公告)號: | CN87102141A | 公開(公告)日: | 1988-10-12 |
| 發明(設計)人: | 孫維國;胡榮武 | 申請(專利權)人: | 航空工業部第014中心 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01G9/20;G01J5/10 |
| 代理公司: | 航天工業部專利事務所 | 代理人: | 馬國祥,王淑慈 |
| 地址: | 河南洛陽*** | 國省代碼: | 河南;41 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 硫化鉛 多晶 薄膜 激光 方法 | ||
本發明是關于PbS紅外光敏元件制造中敏化工藝的發明,敏化是制造PbS探測器關鍵的一環,敏化效果如何直接影響探測率大小。
據我們所知國內外,以往對PbS薄膜的敏化采用化學敏化法、爐中高溫處理法,高溫法做的器件與化學敏化法比較,穩定性好,響應時間常數小,但高溫處理敏化條件較難掌握,重復性差,成品率不高,所用時間較長,即升溫至550℃左右(需要一小時左右)然后恒溫一小時再自然冷卻至室溫取出,每次敏化放片不多,且在敏化過程中敏化情況不能直接觀察。
本發明的目的是提供一種PbS光敏元件制造中敏化新方法。
本發明采用激光器代替敏化爐,把化學沉淀在玻璃襯底上的薄膜用激光擴束照射(掃描)待敏元件而到達敏化效果。在大氣環境中待敏元件吸收了激光后,由于光化學和熱效應作用使表面生成對紅外輻射敏感物質,從而達到敏化效果。敏化效果與功率密度有關。功率密度太大,薄膜表面揮發,功率密度太小,達不到敏化效果。其最佳功率密度范圍是100瓦/厘米2~300瓦/厘米2。激光器的波長對薄膜的吸收是有影響的,因CO2氣體激光器轉換效率高,價格較低,所以采用CO2氣體激光器較好。在敏化過程中通過觀察元件的顏色變化來判斷敏化情況,確定激光照射的時間。在照射過程中從本色灰白變黑然后暗紅→褐色→深蘭→淺蘭→蘭灰→灰色。初步判斷時可選擇淺蘭→灰色之間為較好敏化效果范圍。對敏化后的光敏元件進行退火處理可以提高其性能和穩定性,退火的溫度范圍在135±10℃時更有利于提高其性能和穩定性。
本發明的優點是成品率比高溫爐處理方法高,敏化條件調節迅速,敏化速度快,1分鐘左右即可敏化一化。在我們的試驗中用激光法比用高溫爐中處理成品率高一倍以上。本發明的方法也可適用于PbSe敏化。
本發明與高溫爐處理方法相比制成的光敏元件各參數性能基本相同,優于高溫法,且成本低,穩定性好。用此方法做的紅外探測器可在致冷情況下或室溫工作,可用于軍事跟蹤,探測,特別在導彈上使用,也可以用于火焰探測,測溫,測濕。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于航空工業部第014中心,未經航空工業部第014中心許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://m.szxzyx.cn/pat/books/87102141/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:活塞式內燃機補氣法及其裝置
- 下一篇:水稻正三角形栽培法
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





