[其他]多室淀積系統(tǒng)

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 87104355
• 申請(qǐng)日: 1987-06-22
• 公開（公告）號(hào): CN87104355A
• 公開（公告）日: 1988-02-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 里查德·L·雅各布森;弗蘭克·R·杰弗里;羅格·維斯特伯格
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 明尼蘇達(dá)采礦和制造公司
• 主分類號(hào): C23C16/54
• 分類號(hào): C23C16/54;C23C16/50
• 代理公司: 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利代理部
• 代理人: 薛明祖

本發(fā)明是一種在真空條件下連續(xù)向帶材噴鍍薄膜涂層的方法及設(shè)備，具體來(lái)說(shuō)，本發(fā)明所說(shuō)的是一種改進(jìn)的裝置，該改進(jìn)裝置具有多個(gè)淀積室安裝在一個(gè)高真空度的倉(cāng)室中以連續(xù)地實(shí)施不同薄膜的涂層。

根據(jù)美國(guó)能源署第ZB-4-03056-2號(hào)轉(zhuǎn)包合同，美利堅(jiān)合眾國(guó)政府擁有本發(fā)明的權(quán)利。

在應(yīng)用薄膜涂層方面，已有多種方式問(wèn)世，其涂層至少由兩種不同成份組成，尤其是在制造光電裝置方面，要求設(shè)備能高效和經(jīng)濟(jì)地產(chǎn)生多層薄膜涂層。當(dāng)各涂層的電及光感性能必須加以控制時(shí)，就更需要這種設(shè)備。

美國(guó)專利第3，294，570號(hào)發(fā)明者查申（Charschan）等人公開了一種連續(xù)真空處理的設(shè)備，它包括多個(gè)相互連結(jié)的開口倉(cāng)室，各獨(dú)立的倉(cāng)室沿一條通道上的諸孔洞而分布，通道內(nèi)的材料裸露在倉(cāng)室內(nèi)的涂膜氣體之中。在該設(shè)備中，各有關(guān)裝置與各個(gè)淀積室相連以保持各倉(cāng)室內(nèi)預(yù)先抽真空的壓力。據(jù)認(rèn)為，該設(shè)備特別適合于淀積鉭膜，這是用于電子線路的制造的，該淀積設(shè)備控制的氧化層可保證導(dǎo)致再現(xiàn)的電氣特性。

佛靈（Foehring）等人獲得的美國(guó)專利第3，805，736號(hào)公開了一種在一個(gè)反應(yīng)室內(nèi)可完成質(zhì)量交換反應(yīng)的設(shè)備，利用層流來(lái)提供有限的傳輸擴(kuò)散及各工序間的隔離。該淀積設(shè)備包括，在一個(gè)淀積室內(nèi)限定一個(gè)蒸汽傳送區(qū)域的裝置，該淀積室還包括一個(gè)初級(jí)蒸汽擴(kuò)散裝置，該裝置沿縱向延伸越過(guò)蒸汽傳送區(qū)，用來(lái)將起初的氣相物質(zhì)分配至層流中去，而該流層與基板表面大致平行且與基板傳送通道相垂直，在淀積室內(nèi)裝有相對(duì)放置的排放裝置和至少一個(gè)輔助的相鄰的蒸汽擴(kuò)散裝置。各蒸汽傳送區(qū)域在結(jié)構(gòu)上皆為全開式，且彼此相連，而處理方式則基本上由于層流關(guān)系而連續(xù)獨(dú)立進(jìn)行。

威克菲爾德（Wakefield）在美國(guó)的專利第3，965，163號(hào)中公開了一種方法，即自較低級(jí)的硅形成半導(dǎo)體硅，在第二個(gè)反應(yīng)室內(nèi)P型層借助于擴(kuò)散入N型層而在N型層上形成P型層。

斯摩爾（Small）等人在美國(guó)專利第4，015，163號(hào)中公開了一種多層汽化淀積設(shè)備，該設(shè)備包括多個(gè)逐序相連的淀積室，淀積室所帶的閥類裝置安裝在每一相應(yīng)的出口室及入口室相對(duì)的端部，用以密封涂層室并阻止涂層室與在一起的一些用來(lái)在每一涂層室內(nèi)產(chǎn)生真空條件的獨(dú)立裝置之間的聯(lián)系。

馬塔斯古·伊祖（Matatsgu????Isu）等人在美國(guó)專利第4，400，409號(hào)中公開了一種制做光電板的方法，它包括一卷具有一個(gè)或多個(gè)電極生成區(qū)的撓性基板材料的帶材，隨后打開上述的基板卷，基本上連續(xù)地進(jìn)入部分抽真空的地區(qū)，它包括至少有一處硅淀積區(qū)，其中，在至少一部分上述一個(gè)或多個(gè)電極生成區(qū)的至少兩個(gè)相反導(dǎo)電率（P和N）型的撓性硅薄膜上被涂敷;一個(gè)或多個(gè)上述生成光電空區(qū)的薄膜，上述在基本上是連續(xù)帶材構(gòu)成的基板，以及每一個(gè)上述硅薄膜都在各自的輝光放電區(qū)淀積，帶材通過(guò)該放電區(qū)便形成一個(gè)大體上連續(xù)的淀積過(guò)程。根據(jù)伊祖（IZu）等人的發(fā)明，當(dāng)使用許多相同的淀積室時(shí)，每個(gè)淀積室都由隔離通道相連，每個(gè)噴鍍室的排放廢汽便足以隔離各室;然而惰性載運(yùn)汽可進(jìn)入每個(gè)通道從通道兩側(cè)的淀積室清掃通道內(nèi)的各種氣體。在13欄，第14～17行處說(shuō)明，“將所有的淀積室區(qū)域都封閉在一個(gè)與其他倉(cāng)室彼此隔開的單一倉(cāng)室中也是可行的”，然而沒(méi)有什么學(xué)說(shuō)來(lái)說(shuō)明這種方法如何加以實(shí)施或有什么效益產(chǎn)生。

卡尼拉（Cannella）等人在美國(guó)專利第4，438，723中公開了一種多室淀積系統(tǒng)及隔離裝置，它包括一個(gè)連接第1和第2淀積室的槽縫和形成氣流的裝置，該氣流從槽縫以足夠的流量流入第一淀積室，以保持第一淀積室的一種元素濃度與第二室的一種元素濃度之比至少為10⁴。

對(duì)照前面涉及的工藝背景，本發(fā)明包括一個(gè)整體的真空室，該室內(nèi)具有幾個(gè)單獨(dú)的淀積室，每個(gè)淀積室都有傳導(dǎo)限定槽和單獨(dú)的真空泵裝置用來(lái)提供適當(dāng)?shù)牡蛪?，以便在各淀積室中同時(shí)進(jìn)行原材料的淀積，并且在各淀積室之間不產(chǎn)生明顯的生產(chǎn)氣體相互擴(kuò)散。

因此，本發(fā)明的目的就是提供一種多涂層真空淀積系統(tǒng)，其結(jié)構(gòu)較前述的真空淀積系統(tǒng)簡(jiǎn)單，這樣便可以縮短停機(jī)時(shí)間。

此外，本發(fā)明的目的在于，由于簡(jiǎn)化了復(fù)雜的結(jié)構(gòu)，而使得所提供的多室真空淀積系統(tǒng)的安裝和操作更經(jīng)濟(jì)。

同時(shí)，本發(fā)明的目的也在于提供一種使各淀積空之間嚴(yán)格分離的多室真空淀積系統(tǒng)。