[其他]半導體陶瓷的組成無效
| 申請號： | 87106154 | 申請日： | 1987-09-02 |
| 公開（公告）號： | CN87106154A | 公開（公告）日： | 1988-03-16 |
| 發明（設計）人： | 小野秀一;板垣秋一;矢作正博 | 申請（專利權）人： | TDK株式會社 |
| 主分類號： | H01B3/12 | 分類號： | H01B3/12;C04B35/00 |
| 代理公司： | 中國專利代理有限公司 | 代理人： | 肖掬昌,杜有文 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 陶瓷 組成 | ||
1、一種半導體陶瓷的組成，其特征在于它包括：
一個含SrTiO3的基本組分；以及
一個含CaTiO3、Y和Nb的次要組分；
所說CaTiO3占0.1至2.0克分子%，而Y和Nb分別存在于按組成計算占0.1至0.4克分子%的Y2O3和Nb2O5基體中。
2、根據權利要求1中所規定的一種半導體陶瓷的組成，其特征在于它還包括Mn，所說的Mn存在于按所說組成計算占0.02至0.2克分子%的MuO基體中。
3、根據權利要求2中所規定的一種半導體陶瓷的組成，其特征在于它還包括SiO2，所說SiO2按所說組成計算占0.01至0.1克分子%。
4、根據權利要求1至3中任何一個所規定的一種半導體陶瓷的組成，其特征在于所說組成經壓制和燒結使Bi出現在該組成的晶界。
5、一種半導體陶瓷的組成，其特征在于它包括：
一個含SrTiO3的基本組分;以及
一個含CaTiO3、BaTiO3、Y和Nb的次要組分;
所說SrTiO3包括0.970至1.000比1.000的克分子比例的SrO和TiO2;
所說CaTiO3相對于代表所說SrO的數量的1.000、0.990、0.980和0.970克分子其數量分別相應為0.1至20.0、1.0至20.0、5.0至20.0和10.0至20.0克分子%;
所說BaTiO3的數量占0.05至3.0克分子%，而所說Y和Nb分別出現在按組成計算占0.1至1.0克分子%和0.1至0.4克分子%的Y2O3和Nb2O5基體中。
6、根據權利要求5中所規定的一種半導體陶瓷的組成，其特征在于它還包括Mn和SiO2，所說Mn存在于按所說組成計算占0.02至0.20克分子%的MnO基體中，而所說SiO2以按所說組成計算占0.01至0.6克分子%出現。
7、根據權利要求5或6中所規定的一種半導體陶瓷的組成，其特征在于，所說組成經壓制和燒結，使Bi出現在該組成的晶界處。
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