[其他]半導(dǎo)體陶瓷的組成

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 87106154
• 申請(qǐng)日: 1987-09-02
• 公開（公告）號(hào): CN87106154A
• 公開（公告）日: 1988-03-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 小野秀一;板垣秋一;矢作正博
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: TDK株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01B3/12
• 分類號(hào): H01B3/12;C04B35/00
• 代理公司: 中國專利代理有限公司
• 代理人: 肖掬昌,杜有文

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體陶瓷電容器用的半導(dǎo)體陶瓷的組成，更具體地說，本發(fā)明涉及的半導(dǎo)體陶瓷的組成，適用于制造邊界絕緣型半導(dǎo)體陶瓷電容器。

用作無源電子電路元件的半導(dǎo)體陶瓷電容器一般分成兩類型，即邊界層型和表面層型。邊界層型半導(dǎo)體陶瓷電容器包括一種邊界絕緣型電容器，而表面層型半導(dǎo)體陶瓷電容器包括一種阻擋層型電容器和一種還原再氧化型電容器。

然而，業(yè)已發(fā)現(xiàn)普通的半導(dǎo)體電容器具有下列缺點(diǎn)：

邊界絕緣型半導(dǎo)體電容器的電容量和介質(zhì)強(qiáng)度相對(duì)地有所降低。阻擋層型的頻率特性變劣，介質(zhì)損耗（tanδ）有所增加，介質(zhì)強(qiáng)度有所降低。還原再氧化型電容器的頻率特性變劣，溫度特性和介質(zhì)損耗有所增加。這些缺點(diǎn)的起因，是由于能夠提供避免上述缺點(diǎn)的半導(dǎo)體陶瓷電容器的半導(dǎo)體陶瓷組成至今仍未研制出來。

鑒于先有技術(shù)的上述缺點(diǎn)而作出了本發(fā)明。

因此，本發(fā)明的一個(gè)目的是提供半導(dǎo)體降瓷電容器用的一種半導(dǎo)體陶瓷的組成，它使該電容器不僅提高介電常數(shù)和呈現(xiàn)出滿意的頻率特性和溫度特性，而且也能降低介質(zhì)損耗。

本發(fā)明的另一個(gè)目的是要為能夠改進(jìn)電容器的絕緣電阻的半導(dǎo)體陶瓷電容器提供一種半導(dǎo)體陶瓷的組成。

本發(fā)明再有一個(gè)目的是要為半導(dǎo)體陶瓷電容器提供一種半導(dǎo)體陶瓷的組成，這種半導(dǎo)體陶瓷電容器能夠易以制造，并呈現(xiàn)上述的優(yōu)點(diǎn)。

本發(fā)明的再一個(gè)目的是要為邊界絕緣型半導(dǎo)體陶瓷電容器提供一種半導(dǎo)體陶瓷的組成，它使得這種半導(dǎo)體陶瓷電容器不僅能提高介電常數(shù)和呈現(xiàn)出令人滿意的頻率特性和溫度特性，而且也降低介質(zhì)損耗。

本發(fā)明還有另一個(gè)目的是要為能改進(jìn)該電容器的絕緣電阻的邊界絕緣型半導(dǎo)體陶瓷電容器提供一種半導(dǎo)體陶瓷的組成。

本發(fā)明又再一個(gè)目的是要為能易于制造并能呈現(xiàn)上述優(yōu)點(diǎn)的邊界絕緣型半導(dǎo)體陶瓷電容器提供一種半導(dǎo)體陶瓷的組成。

本發(fā)明還再有一個(gè)目的是要為能改進(jìn)該電容器的絕緣電阻和直流擊穿電壓的邊界絕緣型半導(dǎo)體陶瓷電容器提供一種半導(dǎo)體陶瓷的組成。

根據(jù)本發(fā)明，為半導(dǎo)體陶瓷電容器提供了的一種半導(dǎo)體陶瓷的組成。這個(gè)組成包括基本組分SrTiO₃和含CaTiO₃、Y和Nb的次要組分。CaTiO₃按組成計(jì)算占0.1至2.0克分子%，而Y和Nb分別存在于按組成計(jì)算占0.1至0.4克分子%的Y₂O₃和Nb₂O₅基體中。

根據(jù)本發(fā)明，又提供了半導(dǎo)體陶瓷電容器用的一種半導(dǎo)體陶瓷的組成，它包括基本組分SrTiO₃和含CaTiO₃、BaTiO₃、Y和Nb的次要組分。構(gòu)成基本組分的SrTiO₃包括其克分子比值是0.970至1.000比1.000的SrO和TiO₂。構(gòu)成一部分次要組分的CaTiO₃，其分量相對(duì)于代表SrO分量的1.000、0.990、0.980和0.970克分子分別占0.1至20.0、1.0至20.0、5.0至20.0和10.0至20.0。也構(gòu)成一部分次要組分的BaTiO₃，按組成計(jì)算，它占0.05至3.0克分子%。構(gòu)成其余次要組分的Y和Nb分別存在于按組成計(jì)算占0.1至1.0克分子%和0.1至0.4克分子%的Y₂O₃和Nb₂O₅基體中。

本發(fā)明針對(duì)半導(dǎo)體陶瓷電容器，特別是一種包括基本組分SrTiO₃和含CaTiO₃、Y和Nb的次要組分的邊界絕緣型半導(dǎo)體陶瓷電容器用的半導(dǎo)體陶瓷的組成。這里使用的術(shù)語“次要組分”是指本質(zhì)組分在數(shù)量上少于也是本質(zhì)的基本組分。構(gòu)成一部分次要組分的CaTiO₃按組成計(jì)算占0.1至2.0克分子%，而構(gòu)成其余次要分量的Y和Nb分別存在于按組成計(jì)算占0.1至0.4克分子%的Y₂O₃和Nb₂O₅基體中。