[其他]半導(dǎo)體元件

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 87106746
• 申請日: 1987-10-01
• 公開（公告）號: CN87106746A
• 公開（公告）日: 1988-04-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: C·克里斯蒂安·阿巴斯;延斯·戈布雷希特;霍斯特·格呂寧;揚·福博利爾
• 申請（專利權(quán)）人: BBC勃朗·勃威力有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/74
• 代理公司: 中國專利代理有限公司
• 代理人: 肖掬昌,杜有文

1、一種具有大面積半導(dǎo)體襯底(1)在對向配置的電極之間有多個不同摻雜層的半導(dǎo)體元件，其特征在于，為了改善該元件的電氣性能，至少在半導(dǎo)體襯底(1)的一側(cè)引入深腐蝕坑(10)，以減少半導(dǎo)體襯底(1)載流區(qū)的厚度。

2、如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于：

（甲）半導(dǎo)體襯底（1）具有能通過柵極加以關(guān)斷的（GTO型）半導(dǎo)體開關(guān)元件層系或場控制型半導(dǎo)體開關(guān)元件（FCTh）層系，該層系配置在陽極與陰極之間，

（乙）半導(dǎo)體襯底（1）在陰極側(cè)具有一柵-陰結(jié)構(gòu)，該柵-陰結(jié)構(gòu)按階梯形式構(gòu)成，在該結(jié)構(gòu)中，多個陰極指（8）從更深配置的柵極平面突出，形成具有中介柵區(qū)的控制結(jié)構(gòu);

（丙）腐蝕坑（10）配置在控制結(jié)構(gòu)對向的陽極側(cè)。

3、如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于，P摻雜陽極層（2）和其上的n型輕摻雜的n型基區(qū)層（3）系配置在陰極側(cè)的半導(dǎo)體襯底（1）中，且減少腐蝕坑（10）部位中半導(dǎo)體襯底的厚度實質(zhì)上是靠消耗n型基區(qū)層（3）的厚度而取得的。

4、如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于，在陽極層（2）與n型基區(qū)層（3a）之間設(shè)有n型強摻雜的阻隔層（3a）。

5、如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于，n型基區(qū)層（3）在腐蝕坑（10）部位的厚度小于200微米，最好是在80和150微米之間的范圍內(nèi)。

6、如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于，控制結(jié)構(gòu)再劃分為若干彼此分開的控制區(qū)（16），且在控制區(qū)（16）對過配置有面積大致與控制區(qū)（16）相等的腐蝕坑（10）。

7、如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于，半導(dǎo)體襯底（1）在陽極側(cè)釬焊到金屬基片（14）上，且腐蝕坑完全充滿釬料。