[其他]可大批量傳送半導體襯底用的全罩式裝載器具(舟)無效
| 申請號: | 87107754 | 申請日: | 1987-11-11 |
| 公開(公告)號: | CN87107754A | 公開(公告)日: | 1988-08-17 |
| 發明(設計)人: | 查理斯·E·迪吉斯特 | 申請(專利權)人: | 赫羅斯·阿姆希爾公司 |
| 主分類號: | H01L21/00 | 分類號: | H01L21/00;C03B20/00 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利代理部 | 代理人: | 王以平 |
| 地址: | 美國新*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 大批量 傳送 半導體 襯底 全罩式 裝載 器具 | ||
本發明涉及一種容納和固定盤狀或片狀半導體襯底、用于進行隨后的加工處理(如在氧化和/或多晶擴散管等裝置中所作的處理)的器具的制造,特別涉及可在工藝加工和處理中大批量傳送半導體襯底用的全罩式裝載器具。
工業上使用的工藝加工和處理半導體襯底的裝載舟有各種各樣的類型。有一種結構是由一段外罩上開有讓氣流流過的長方形縫或孔的透明熔凝石英(全罩式)和一個懸架在外罩中的半標準式的晶片裝載舟構成。已在工業上使用的這種裝載舟有Heraeus????Amersil有限公司Worden????Products子公司制造的4668系列,這在它的產品目錄中作了介紹。把半導體襯底按三種裝載結構的任一種裝在“半標準”式裝載舟內,但不限于這三種。第一種裝載結構是把26片襯底兩個一對背對背地裝在13個支承槽內。第二種裝載結構是把26片襯底背對背地裝在分開的槽內,這是一種“近似”背對背裝載。第三種裝載結構是把52片襯底兩個一對背對背地裝在26個支承槽內。然后把該“半標準”式晶片裝載舟放入外罩的下半部分,并把外罩的上半部分蓋在晶片裝載舟上,然后把這個組合體放入進行下一步處理的擴散爐管中。
本發明的主要目的是提供一種由透明熔凝石英制成的可大批量傳送半導體襯底的容器,該容器具有所需的全罩式裝載舟的性質,并且有加工處理這些半導體襯底的擴散設備所要求的全封閉端或開口端。
簡而言之,這種加工和處理半導體襯底用的裝載舟由一個由兩部分構成的帶有或沒有封閉端部的全蔽外罩以及一個懸架在外罩中的半導體襯底“半標準”內裝載舟組成。該外罩在其上半部分、下半部分或兩部分上都可以有縱向或橫向的槽縫。該外罩也可在其上半部分、下半部分或兩部分上有圓孔。這些槽縫或圓孔的作用是讓氣體流入該外殼。半標準裝載舟由四根透明熔凝石英棒構成,石英棒上以適合大批量傳送機構的特定間距刻出有支承槽。這些槽能以三種裝載結構中的任一種結構支承半導體襯底,但不局限于某一種。四根刻有槽口的棒兩端用端部接頭件固定在一起。這些端部接頭件由一根彎曲的透明熔凝石英棒和一根透明熔凝石英管組成。該端部接頭件上的石英管是供裝取叉進出用的。
本說明書的一張附圖充分圖示出在工藝加工和處理中大批量傳送半導體襯底的全罩式裝載舟和裝取半標準式裝載舟所用的裝取叉。
半標準裝載舟包括兩根透明熔凝石英棒端部支撐條(1)、兩根透明熔凝石英裝取管(2)和四根帶有刻槽的透明熔凝石英棒(3)。
帶有刻槽的棒(3)在與刻槽(11)相對的那一側被磨平,以使半導體襯底(4)位于非常接近外部兩個半外罩(5、6)處并支承在一個垂直的平面內。外部兩個半外罩(5、6)上有允許氣體流過的橫向或縱向槽縫或圓孔(8)。
裝取管(2)稍微延伸到兩個半外罩(5、6)兩側的外面,以使半標準舟能靠該裝取管(2)懸架在下半部的外罩(5)上。
外罩的下半部分(5)和上半部分(6)在所有四個角上切有凹槽(7)。該凹槽(7)的深度是裝取管(2)的外徑的一半。
在全部組裝好了時,裝取管(2)可防止外罩的上半部分(6)從一端滑向另一端。外罩的上半部分(6)還裝上止動片(9)以防止外殼的上半部分(6)從前向后滑動。
下邊兩個帶有刻槽的棒(3)的端部被磨平使其到該棒(3)上第一個刻槽(11a)的中心線的距離為一特定的距離,指定的公差為±0.003″(0.0762mm),該距離被用作為大批量傳送機構的參考平面。從四根帶有刻槽的棒(3)上的刻槽(11)的中心線到相鄰的另一個刻槽中心線的距離是特定的,其指定的非累積公差為0.003″(0.0762mm)。刻槽(11)中心線到刻槽(11)中心線的這一距離由裝載結構和對工藝的兼容性決定。
裝取管(2)的結構和間距要做得無論是舟空著還是裝有襯底均能使裝取工具(10)安全地裝取半標準裝載舟。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





