[其他]專用于沉積大面積薄膜的平面磁控濺射源

無效

• 申請號: 88203433
• 申請日: 1988-02-10
• 公開（公告）號: CN88203433U
• 公開（公告）日: 1988-11-30
• 發明（設計）人: 王德苗
• 申請（專利權）人: 浙江大學
• 主分類號: C23C14/36
• 分類號: C23C14/36
• 代理公司: 浙江大學專利代理事務所
• 代理人: 連壽金

1、一種專用于沉積大面積薄膜的平面磁控濺射源，包括一個水冷器，一個磁場源，一個陰極靶，一個屏蔽罩，其特征在于磁場源由二個互相平行的外磁組件[Ia][Ib]和多個一字形排列、垂直于外磁組件[Ia][Ib]、并能在外磁組件[Ia][Ib]之間沿平行于外磁組件[Ia][Ib]方向作往復運動的內磁組件[Ⅱa][Ⅱb]組成；濺射鍍膜時，陰極靶[11]靶面受隨內磁組件[Ⅱa][Ⅱb]作同步運動的等離環離子掃描刻蝕，在陰極靶[11]正上方靜止的大面積工件上沉積薄膜。

2、根據權利要求1所述的濺射源，其特征在于所述的外磁組件〔Ⅰa〕〔Ⅰb〕各含有一個下極靴〔12a〕／〔12b〕，一個同極性的外磁鋼〔13a〕／〔13b〕，一個上極靴〔14a〕／〔14b〕，它們依次疊加在水冷套〔2〕左右側的延伸部上。

3、根據權利要求1所述的濺射源，其特征在于所述的內磁組件〔Ⅱa〕〔Ⅱb〕各含有一個下極靴〔5a〕／〔5b〕，三個相互平行等間隔地布置在下極靴〔5a〕／〔5b〕上的磁鋼〔6a〕〔7a〕〔8a〕／〔6b〕〔7b〕〔8b〕，磁鋼〔7a〕〔7b〕的極性與其他各磁鋼的極性相反。

4、根據權利要求3所述的濺射源，其特征在于每兩個相鄰的內磁組件〔Ⅱa〕〔Ⅱb〕之間被加強筋〔3〕隔開。

5、根據權利要求1和3所述的濺射源，其特征在于每一個內磁組件〔Ⅱa〕／〔Ⅱb〕上端及其四周與相鄰的其他零件之間留有1～2mm的間隙。

6、根據權利要求2和3所述的濺射源，其特征在于下極靴〔5a〕〔5b〕〔12a〕〔12b〕的高度相同，且布置在同一個水平面上。

7、根據權利要求1所述的濺射源，其特征在于構成水冷器的水冷背板〔9〕焊有若干個抗彎曲變形的加強筋〔3〕。