[其他]專用于沉積大面積薄膜的平面磁控濺射源

無效

• 申請號: 88203433
• 申請日: 1988-02-10
• 公開（公告）號: CN88203433U
• 公開（公告）日: 1988-11-30
• 發明（設計）人: 王德苗
• 申請（專利權）人: 浙江大學
• 主分類號: C23C14/36
• 分類號: C23C14/36
• 代理公司: 浙江大學專利代理事務所
• 代理人: 連壽金

本發明涉及一種濺射鍍復的專用設備，特別適用于鍍復大面積工件，如大型平面鏡、節能建筑玻璃、汽車護柵、露天字牌等。

鍍復大面積工件，常用帶有大型平面靶的普通濺射源，其靶材利用率較低，一般為30％以下，鍍層均勻性差。為克服這些缺陷，1980年美國專利US4194962提供了一種改進方案，令大型工件對于大型平面靶作相對運動，其濺射源固定不動，為此設置一套擱置大型工件的移動架，濺射鍍復時，該大型移動架帶動大型工件作往復移動。該設計方案有助于提高鍍層的均勻性，同時在一定程度上提高了靶材利用率，達到60％左右。該方案的缺陷在于：

1、必需在真空室內設置一套長度為大型工件3倍左右的移動架，結果造成濺射鍍膜機體積龐大，結構復雜，造價甚高。

2、為使龐大的真空室和大型移動架大量放氣的條件下達到足夠的真空度，需要配置抽氣速率相當可觀的真空機組。

3、給移動的大型工件及其移動架烘烤增加困難。

4、能源消耗大。

本發明的任務在于提供一種體積小，能耗低，操作簡便，專用于沉積大面積薄膜的平面磁控濺射源。

圖面說明：

圖1為本濺射源的橫截面圖。圖中1－法蘭，2－水冷套，3－加強筋，4a、4b－導軌，5a、5b－下極靴，6a、6b－磁鋼，8a、8b－磁鋼，9－水冷背板，10－密封環，11－陰極靶，12a、12b－下極靴，13a、13b－外磁鋼，14a、14b－上極靴，15－屏蔽罩，16－密封環。

圖2為圖1的A－A剖面視圖。圖中7a、7b－磁鋼，17a、17b－空心導桿，18a、18b－密封組件，19－空心的T型連桿，20－出水管，其余標記與圖1相同。

以下結合附圖說明本發明的詳細內容。

如圖1和圖2所示，本濺射源呈方形結構，固定在法蘭〔1〕上。該濺射源包括一個水冷器，一個磁場源，一個陰極靶〔11〕，一個屏蔽罩〔15〕，一個兼作進水管的傳動裝置。方形的水冷套〔2〕通過螺釘固定在法蘭〔1〕上，兩者之間墊有絕緣體和密封環〔16〕。水冷套〔2〕的內底部布置若干個為防止水冷背板〔9〕變形而設置的縱向加強筋〔3〕和導軌〔4a〕〔4b〕，前壁開有若干個用于布置空心導桿〔17〕的通孔，左右側各設一個用于布置外磁件〔Ⅰa〕〔Ⅰb〕的延伸部。

磁場源由二個互相平行的外磁組件〔Ⅰa〕〔Ⅰb〕和多個一字形排列、垂直于外磁組件〔Ⅰa〕〔Ⅰb〕、并能在外磁組件〔Ⅰa〕〔Ⅰb〕之間沿平行于外磁組件〔Ⅰa〕〔Ⅰb〕方向作往復運動的內磁組件組成。外磁組件〔Ⅰa〕〔Ⅰb〕各含有一個下極靴〔12a〕／〔12b〕，一個外磁鋼〔13a〕／〔13b〕，一個上極靴〔14a〕／〔14b〕，三者依次疊加在水冷套〔2〕左右側的延伸部上。一字形排列的各內磁組件〔Ⅱa〕〔Ⅱb〕被加強筋〔3〕隔開，每一個內磁組件〔Ⅱa〕〔Ⅱb〕各含有一個布置在導軌〔4a〕／〔4b〕上的下極靴〔5a〕／〔5b〕，三個相互平行等間隔地布置在下極靴〔5a〕／〔5b〕上的磁鋼〔6a〕〔7a〕〔8a〕／〔6b〕〔7b〕〔8b〕。磁鋼〔7a〕〔7b〕的極性同其他的磁鋼極性相反。內磁組件〔Ⅱa〕〔Ⅱb〕上端及其四周與相鄰的其他零件之間留有1～2mm的間隙。下極靴〔5a〕〔5b〕〔12a〕〔12b〕高度相同，且布置在同一個水平面上。

每一個下極靴〔5a〕〔5b〕豎向和水平方向各開一個相互正交的深孔，其水平深孔和水冷套〔2〕前壁上相應的通孔同軸，空心導桿〔17a〕〔17b〕分別穿過密封組件〔18a〕〔18b〕和水冷套〔2〕相應的通孔后，其后端同下極靴〔5a〕／〔5b〕的水平深孔對接，前端部與空心T型連桿〔19〕相接。密封組件〔18a〕〔18b〕固定在水冷套〔2〕前壁上，以保證空心導桿〔17a〕〔17b〕作往復運動時不漏水。

方形水冷套〔2〕的上端部設置一個密封環〔10〕，銅質的方形水冷背板〔9〕固定在水冷套〔2〕和加強筋〔3〕上，以防止水冷背板〔9〕彎曲變形，陰極靶〔11〕釬焊在水冷背板〔9〕上。

固定在法蘭〔1〕上的屏蔽罩〔15〕和工作室為地電位，陰極靶〔11〕和水冷器對地電壓約為－500V。

冷卻水經空心T型連桿〔19〕、空心導桿〔17a〕〔17b〕進入內磁組件〔Ⅱa〕〔Ⅱb〕空間，自內磁組件〔Ⅱa〕〔Ⅱb〕頂部溢出，由出水管〔20〕引至外部。