[其他]半導體工藝在審
| 申請號： | 101985000004071 | 申請日： | 1985-05-28 |
| 公開（公告）號： | CN1003337B | 公開（公告）日： | 1989-02-15 |
| 發明（設計）人： | 彼得·戴維·格林;丹尼爾·塞吉斯芒多·奧托·倫納 | 申請（專利權）人： | 標準電話電報公共有限公司 |
| 主分類號： | 分類號： | ||
| 代理公司： | 中國國際貿易促進委員會專利代理部 | 代理人： | 陳景俊 |
| 地址： | 英國倫敦WC*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | 用于制造半導體器件特別是但不只是ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰ低閾值半導體激光器的質量傳遞工藝，包括生長材料蓋片（１８）靠近要生長材料的半導體晶片（１５）的安排，它們與晶狀鹵化堿（２０）一起在坩堝（１６）內的布置和坩堝的加熱，加熱時在氫氣流中，幾乎是但不完全是密封的。在制造ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰ激光器和生長ＩｎＰ時，鹵化堿可以是ＫＩ、ＲｂＩ、或ＣｓＩ，并且可將一定量的Ｉｎ金屬（２１）放在坩堝（１６）里，以控制確定激光器有源區的ＩｎＰ的生長與ＩｎＰ從晶片其他區域腐蝕之間的平衡。生長是在與液相外延工藝相似的溫度下進行的。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 工藝 | ||
【主權項】：
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