[其他]電子器件的制造方法在審
| 申請號： | 101985000008626 | 申請日： | 1985-10-28 |
| 公開（公告）號： | CN1004245B | 公開（公告）日： | 1989-05-17 |
| 發明（設計）人： | 山崎舜平;伊藤健二;永山進 | 申請（專利權）人： | 株式會社半導體能源研究所 |
| 主分類號： | 分類號： | ||
| 代理公司： | 中國國際貿易促進委員會專利代理部 | 代理人： | 劉暉 |
| 地址： | 日本國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 本發明公開了一種半導體器件制造方法，其中至少包括一步是形成被刻圖形的層，該層可以是導電金屬層，透明導電層和不透明導電層的或反射的得疊層，或非單晶半導體層；另一步是用波長為４００毫微米或更短的激光束在繪有圖形層部分刻出圖形，這些層可以是刻有圖形的導電金屬層，刻有圖形的透明導電層和非透明的或反射導電層的重疊層，或刻有圖形的非單晶半導體層。本發明的優點在于形成的刻有圖形層上沒有任何缺陷。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 電子器件 制造 方法 | ||
【主權項】：
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