[其他]半導體器件在審
| 申請號： | 101985000009419 | 申請日： | 1985-12-27 |
| 公開（公告）號： | CN85109419B | 公開（公告）日： | 1988-06-08 |
| 發明（設計）人： | 竹村百子;稻葉道彥;鐵矢俊夫;小林三男 | 申請（專利權）人： | 株式會社東芝 |
| 主分類號： | 分類號： | ||
| 代理公司： | 中國國際貿易促進委員會專利代理部 | 代理人： | 趙越 |
| 地址： | 日本國神奈*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 一種半導體器件，其芯片是用錫－－銅合金焊料固定到引線架上的。其中第一層金屬層是插置于芯片和焊料中間的。形成的第一金屬層的厚度在２０００Ａ°到３μｍ的范圍之內，是由鈦、鉻、釩、鋯、鈮中選取的一種金屬，或至少包括一種上述金屬的一種合金構成的。由鎳、鈷或至少含有一種上述金屬的一種合金制備的第二金屬層插置在第一層金屬和焊料之間，其厚度小于第一金屬層。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 半導體器件 | ||
【主權項】：
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