[其他]高抗干擾HP-MOS系列集成電路無效

申請號：	85102308	申請日：	1985-04-01
公開（公告）號：	CN85102308B	公開（公告）日：	1988-07-06
發明（設計）人：	寧震寰	申請（專利權）人：	鄭州大學
主分類號：	H01L27/04	分類號：	H01L27/04
代理公司：	河南省專利代理中心	代理人：	王鋒
地址：	河南省鄭州***	國省代碼：	河南;41
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摘要：	為降低工業電子裝置在抗干擾措施上的費用，我們研究了脈沖數字電路的抗干擾理論，提出了動態噪聲容限指標，證明了高速器件不適用于干擾強速度低的場合，設計了HP-MOS系列集成電路，其靜態噪聲容限接近理想值，優于C-MOS、HTL的抗干擾性能，外接適當電容，其抗干擾性能可與繼電器相當。它可廣泛用于工業控制電子裝置與微型機的接口電路中，使這些裝置的造價降低、可靠性提高。
搜索關鍵詞：	抗干擾 hp mos 系列集成電路
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【主權項】：

HP-MOS系列集成電路的特征是：在負24V±4V電源下，其高抗干擾端噪聲容限10V≤ΔVN≤14V，并可外接電容調節動態噪聲容限ΔT的大小，tr，tf并不增大，且ΔTH＝ΔTL，即在相同頻率下，ΔTN接近最大值，可以方便的與C-MOS、LS-TTL、LH-DTL等集成電路直接連接使用的高抗干擾的E/DP-MOS集成電路。

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