[其他]動態隨機存取存貯器單元(dRAM)和生產方法無效
| 申請號： | 85103376 | 申請日： | 1985-05-13 |
| 公開（公告）號： | CN85103376A | 公開（公告）日： | 1986-11-19 |
| 發明（設計）人： | 查特基;馬利;理查森 | 申請（專利權）人： | 得克薩斯儀器公司 |
| 主分類號： | H01L27/04 | 分類號： | H01L27/04;H01L29/66;H01L21/02;G11C11/40;G11C11/24 |
| 代理公司： | 中國專利代理有限公司 | 代理人： | 李先春 |
| 地址： | 美國得*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 這里揭示的是動態隨機存取貯器(dRAM)單元和單元陣列，連同它們的生產方法，單元包括一個場效應管，一個在襯底的溝內形成的貯能電容器和在襯底上用外延生長法形成的場效應管子溝道。場效應管的源極和漏極同襯底絕緣。管子應該靠近溝或在溝側壁的上半部分。信號電荷貯存在與襯底絕緣的電容器的板極上。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 動態 隨機存取 存貯器 單元 dram 生產 方法 | ||
【主權項】：
1、半導體襯底存貯單元其特征在于包括：(a)在上述襯底溝內制作電容器；(b)在上述的溝內制作場效應管并和上述電容器相聯。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
