[其他]在量子阱器件中的磷勢壘和高磷多磷化合物勢壘無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 85104043 | 申請日： | 1985-05-27 |
| 公開（公告）號： | CN85104043A | 公開（公告）日： | 1986-11-26 |
| 發(fā)明（設計）人： | 迪戈丁·奧萊戈 | 申請（專利權(quán)）人： | 斯托弗化學公司 |
| 主分類號： | H01L29/02 | 分類號： | H01L29/02 |
| 代理公司： | 中國國際貿(mào)易促進委員會專利代理部 | 代理人： | 陳景峻,肖春京 |
| 地址： | 美國紐約*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 磷和多磷化合物MPX和許多常用的二族、三族和四族半導體材料相比，有更大的能帶間隙，且與半導體材料之間具有良好的界面特性。其中M是一種堿金屬，X的范圍由15至無窮大，P為磷。磷和這些多磷化合物的薄層常用作量子阱器件中的勢壘，特別是那些采用由磷元素構(gòu)成半導體薄層的量子阱器件中。磷是優(yōu)先選用的一種勢壘層，它可以是單斜晶磷、紅磷或是具有層狀、折皺片狀局部排列順序的非晶態(tài)磷。量子阱器件和異質(zhì)結(jié)器件已被開發(fā)，用于場效應器件中。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 量子 器件 中的 磷勢壘 高磷多 磷化 合物勢壘 | ||
【主權(quán)項】：
1、一種半導體器件，其組成為：A)包含一種金屬間化合物半導體的半導體材料層，B)與上述半導體層相鄰的第一勢壘層；該勢壘層包含有磷元素。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
