[其他]低壓電可編程序只讀存儲器無效
| 申請號： | 85104497 | 申請日： | 1985-06-12 |
| 公開（公告）號： | CN1004738B | 公開（公告）日： | 1989-07-05 |
| 發明（設計）人： | 斯蒂芬 | 申請（專利權）人： | 英特爾公司 |
| 主分類號： | 分類號： | ||
| 代理公司： | 中國專利代理有限公司 | 代理人： | 李先春 |
| 地址： | 美國加利*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 描述了一種改進了的ＥＥＰＲＯＭ元件，它更適宜于制造高密度器件。單個元件包括一個浮置柵，它是通過溝道注入充入電荷而通過隧道卸去電荷的，漏區是精確定位的，且此源區薄一些。在ｎ－溝道裝置中，ｎ型雜質和Ｐ型雜質都用來形成源區和漏區，然后對源區進行第三次摻入雜質。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 壓電 程序 只讀存儲器 | ||
【主權項】：
1、在硅基底上形成的電可編程序和電可清除只讀存儲器由下述部分組成：在上述基底上形成源區和漏區，在上述源區和漏區之間有溝道區；浮置柵完全由絕緣體隔離，并且是安置在上述溝道區之上；控制柵與上述浮置柵絕緣，且安置在上述浮置柵之上；與上述源區相比，上述漏區是精確定位的且是較薄的；浮置柵是通過來自溝道區的熱電子溝道注入充以電荷的，浮置柵上的電荷是經穿過絕緣體的隧道注入到基底的；因此，可以得到高密度的元件。
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