[其他]門電路斷開可控硅無效
| 申請號: | 85105982 | 申請日: | 1985-08-08 |
| 公開(公告)號: | CN85105982B | 公開(公告)日: | 1988-03-30 |
| 發明(設計)人: | 櫻田修六;池田裕彥 | 申請(專利權)人: | 株式會社日立制作所 |
| 主分類號: | H01L29/74 | 分類號: | H01L29/74 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利代理部 | 代理人: | 杜日新 |
| 地址: | 日本東京都千代*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | 所提供的門電路斷開可控硅具有一塊半導體襯底、一個陽極和一個控制極。半導體襯底包含有,連接陽極的P發射層、鄰接于P發射層的N基區層、鄰接于N基區層且連接控制極的P基區層和鄰接于P基區層且連接陰極的N發射層。為了改善其電流截止性能,半導體襯底還包括在P發射層和N基區層之間設置的P型層,并且有低于N基區層的雜質濃度。 | ||
| 搜索關鍵詞: | 門電路 斷開 可控硅 | ||
【主權項】:
1.門電路斷開可控硅包括有:半導體襯底,它具有第一層,該層暴露在襯底的第一個主表面上且屬于第一導電型,第二層鄰接于上述第一層且為第二導電型,第三層鄰接于上述第二層且暴露在上述襯底的第二個主表面上,該第三層屬于第一導電型,第四層鄰接于上述第三層也暴露在上述襯底的第二主表面上,該第四層屬于第二導電型,以及屬于第一導電型的第五層,它設置于上所第一層和第二層之間,具有小于上述第一層的雜質濃度:第一主電極至少與上述第一層良好導電連接:第二主電極與上述第四層良好導電連接:控制極連接于上述第三層。其特征為:在上述襯底第一主表面上露出的上述第五層的雜質濃度小于各層中最厚的、用作基區層的上所第二層的雜質濃度,由此,降低了載流子從上述第一層向上述第二層注入的注入效率。
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