[其他]具有埋置接點(diǎn)的集成電路制造工藝無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 85107802 | 申請(qǐng)日： | 1985-10-21 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN85107802A | 公開(kāi)（公告）日： | 1986-07-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 普拉迪普·夏赫 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 得克薩斯儀器公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01L21/72 | 分類(lèi)號(hào)： | H01L21/72;H01L27/04;H01L29/76 |
| 代理公司： | 上海專(zhuān)利事務(wù)所 | 代理人： | 吳淑芳 |
| 地址： | 美國(guó)得克薩斯州75265達(dá)*** | 國(guó)省代碼： | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | 一種改善柵氧化層完整性并能埋置接點(diǎn)的集成電路制造工藝。為保證在薄的柵氧化層里蝕刻出孔，以保證埋置接點(diǎn)時(shí)柵氧化層的完整性，蝕刻前，最好在柵氧化層形成后盡快在其上另外淀積一層沒(méi)有圖案的多晶硅層，埋置接點(diǎn)的掩模便用于形成二級(jí)蝕刻。為進(jìn)而保證柵氧化層最大的完整性，閾值電壓的加入是通過(guò)一層在其加入后，柵氧化層生長(zhǎng)之前就被除去的氧化層來(lái)完成。此法可用于N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體及互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體的制造。 | ||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 具有 接點(diǎn) 集成電路 制造 工藝 | ||
【主權(quán)項(xiàng)】：
1、一種制造集成電路的工藝，包括以下步驟：提供一個(gè)具有限定在預(yù)定位置上的溝道區(qū)域的基片，所述的基片由硅組成；在所述的基片上的所述的溝道區(qū)域上生長(zhǎng)一個(gè)薄的氧化層；在所述的薄氧化層上面均勻地淀積一個(gè)多晶硅保護(hù)層；在預(yù)定的埋置接點(diǎn)的位置，在所述的薄多晶硅層和氧化層里蝕刻孔點(diǎn)；在所述的多晶硅保護(hù)層上淀積一個(gè)柵層，在預(yù)定的位置里，將所述的柵層形成圖案，以規(guī)定金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)的柵結(jié)構(gòu)，并在預(yù)定的埋置接點(diǎn)的位置埋置接點(diǎn)。
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- 同類(lèi)專(zhuān)利
- 專(zhuān)利分類(lèi)
H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專(zhuān)門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專(zhuān)門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專(zhuān)門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專(zhuān)門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專(zhuān)門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專(zhuān)門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
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