[其他]聚碳硅烷的合成方法無效
| 申請號: | 85108006 | 申請日: | 1985-10-24 |
| 公開(公告)號: | CN85108006A | 公開(公告)日: | 1987-04-22 |
| 發明(設計)人: | 楊淑金;劉心慰;黃海珍;費逸偉;姜秀珍 | 申請(專利權)人: | 中國人民解放軍國防科技大學 |
| 主分類號: | C07F7/08 | 分類號: | C07F7/08 |
| 代理公司: | 國防科技大學專利辦公室 | 代理人: | 文偉能 |
| 地址: | 湖南省長沙*** | 國省代碼: | 湖南;43 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | 一種聚碳硅烷的合成方法,其特征是在常壓下利用高溫裂解反應柱和冷卻柱,控制反應瓶溫度在150-500℃、裂解區溫度在200-700℃。反應時間在30分鐘-10小時,用含硅-硅鍵、硅-碳鍵、硅-鹵鍵的有機化合物及其混合物進行單程一步合成。用本發明合成的聚碳硅烷數均分子量★n為100-2000。產品在一般條件下存放穩定。本發明工藝流程和設備簡單,合成反應時間短。反應條件易于控制,產率為55-65%。 | ||
| 搜索關鍵詞: | 硅烷 合成 方法 | ||
【主權項】:
1、一種聚碳硅烷的合成方法,包括在常壓下利用高溫裂解反應柱和冷卻柱,其特征是:適當控制反應瓶溫度、裂解區溫度、反應時間單程一步合成。原料用含硅-硅鍵、硅-碳鍵、硅-鹵鍵的有機化合物及其混合物。
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