[其他]二氧化錫膜溶解法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 86100187 | 申請日： | 1986-01-10 |
| 公開（公告）號： | CN86100187A | 公開（公告）日： | 1987-07-22 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 施兆順 | 申請（專利權(quán)）人： | 云南師范大學(xué) |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18;H01L21/302;H01L21/461;C23F1/30 |
| 代理公司： | 云南省專利事務(wù)所 | 代理人： | 馬勇剛 |
| 地址： | 云南省昆明市*** | 國省代碼： | 云南;53 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 一種溶解附在襯底材料表面的二氧化錫晶體薄膜的方法，在常溫常壓下將附有二氧化錫膜的襯底材料淹沒于配制的溶液中處理后，迅速取出用純水沖凈。該溶液由按體積比為80—95％的濃鹽酸和20—5％的濃氫氟酸以及按每立方米溶液加入150—200千克的鈦絲組成。本發(fā)明操作簡便，能迅速、完全溶解二氧化錫膜，不腐蝕襯底材料且成本低。 | ||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 氧化 溶解 | ||
【主權(quán)項】：
1、一種溶解附在襯底材料表面的二氧化錫晶體薄膜的方法，在常溫常壓下將附有二氧化錫膜的襯底材料淹沒于配制的溶液中處理15分鐘后，迅速取出沖凈，其特征在于溶液由濃鹽酸、濃氫氟酸、鈦絲(或鈦粉)組成，濃鹽酸和濃氫氟酸的用量按體積比為80-95%和20-5%，鈦絲(或鈦粉)的用量為每立方米溶液150-200千克。
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- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
