[其他]雙極晶體管無效
| 申請號： | 86100558 | 申請日： | 1986-04-16 |
| 公開（公告）號： | CN1003334B | 公開（公告）日： | 1989-02-15 |
| 發明（設計）人： | 田端輝夫 | 申請（專利權）人： | 三洋電機株式會社 |
| 主分類號： | 分類號： | ||
| 代理公司： | 中國國際貿易促進委員會專利代理部 | 代理人： | 馬連富;許新根 |
| 地址： | 日本大阪府守*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： |
本發明的雙極晶體管具有以下構成：Ｐ型半導體襯底、在襯底的表面層部分區域上形成的Ｎ |
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| 搜索關鍵詞： | 雙極晶體管 | ||
【主權項】：
1、一種雙極晶體管，它包括：第1導電型的半導體襯底、在上述襯底的表面層部分區域上形成的第2導電型的高濃度內埋層、復蓋上述襯底的整個表面并埋置上述內埋層的第2導電型的外延層、包圍上述內埋層并從上述外延層的表面貫通至襯底的第1導電型的高濃度隔離區、被上述隔離區包圍而分隔成島狀的并由上述外延層構成的第2導電型的集電區、在上述集電區的表面層部分區域上形成的第1導電型的基區和在上述基區的表面層部分區域上形成的第2導電型的高濃度發射區，其特征在于在除上述基區以外的上述集電區的表面層上，形成第2導電型的高濃度的第1區域，從而使上述基區與上述隔離區的間隔距離縮小。
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