[其他]半導(dǎo)體集成電路器件及其制造方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 86100841 | 申請日： | 1986-01-31 |
| 公開（公告）號： | CN86100841A | 公開（公告）日： | 1986-07-30 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 甲藤久郎;奧山幸祐 | 申請（專利權(quán)）人： | 株式會社日立制作所 |
| 主分類號： | H01L27/04 | 分類號： | H01L27/04;H01L21/72 |
| 代理公司： | 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會專利代理部 | 代理人： | 趙越 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 一半導(dǎo)體集成電路器件，在其內(nèi)部電路的MOSFET的源和漏區(qū)是輕摻雜的漏結(jié)構(gòu)，這是為了壓制熱載流子的出現(xiàn)。而在輸入/輸出電路中的MOSFET的源和漏區(qū)是具有高雜質(zhì)濃度的摻磷結(jié)構(gòu)，這是為了提高靜電擊穿電壓的。 | ||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 集成電路 器件 及其 制造 方法 | ||
【主權(quán)項】：
1、一半導(dǎo)體集成電路器件包括：一半導(dǎo)體襯底，一個第一導(dǎo)電型的第一種MOSFET是在上述的半導(dǎo)體襯底上形成的，並且具有一個源和漏區(qū)，該源和漏區(qū)包括一個高雜質(zhì)濃度的第一半導(dǎo)體區(qū)和一個具有低于上述第一半導(dǎo)體區(qū)雜質(zhì)濃度的第二半導(dǎo)體區(qū)，並比上述第一半導(dǎo)體區(qū)更加靠近溝道邊；和一個第一個導(dǎo)電型的第二種MOSFET是在上述的半導(dǎo)體襯底上形成的。它具有一個源和漏區(qū)，該源和漏區(qū)包括一個具有比上述第二半導(dǎo)體區(qū)雜質(zhì)濃度高的第三個半導(dǎo)體區(qū)，是用與上述第二和第二半導(dǎo)體區(qū)不同的工藝步驟形成的，上述第二MOSFET的上述源和漏區(qū)是與一個焊點相連接的。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
