[其他]半導(dǎo)體器件無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 86101789 | 申請日： | 1986-03-19 |
| 公開（公告）號： | CN86101789A | 公開（公告）日： | 1986-11-19 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 彼得·丹尼斯·斯科維爾;彼得·弗里德·布洛姆利;羅格·萊斯利·巴克 | 申請（專利權(quán)）人： | 標(biāo)準(zhǔn)電話電報公共有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/04 | 分類號： | H01L27/04;H01L21/70;H01L21/04 |
| 代理公司： | 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會專利代理部 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 英國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 一種集成電路，其中，雙極晶體管(1)和CMOS晶體管(2、3)在襯底上同時形成。CMOS晶體管的柵(11、21)與雙極晶體管的發(fā)射極(29)用同一材料形成，雙極器件的基極接觸由相當(dāng)于n阱MOS管的源、漏區(qū)(17、18)的區(qū)域(27、27a)構(gòu)成，并由基區(qū)注入(28)橋接。增加兩次光刻掩膜及一次基區(qū)注入改進(jìn)了普通的CMOS工藝。一次光刻步驟決定(28)的范圍，另一次光刻步驟決定氧化層(30)在(28)上的范圍。基極接觸用半自對準(zhǔn)的方法產(chǎn)生。 | ||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體器件 | ||
【主權(quán)項】：
1、一種集成電路，它包括一個具有一個柵極的MOS晶體管和一個具有與柵材料相同的發(fā)射極的雙極晶體管。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
