[其他]半導體器件及其制造方法無效
| 申請號： | 86103174 | 申請日： | 1986-05-07 |
| 公開（公告）號： | CN86103174A | 公開（公告）日： | 1986-11-19 |
| 發明（設計）人： | 小池淳義;目黑憐;池田修二;竹田敏文 | 申請（專利權）人： | 株式會社日立制作所 |
| 主分類號： | H01L27/02 | 分類號： | H01L27/02;H01L29/72;H01L29/76;H01L21/02;H01L21/70;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中國國際貿易促進委員會專利代理部 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 本發明的多層布線半導體器件，是在下層金屬布線層的側面形成絕緣材料構成的側墻，利用該側墻表面的斜坡形狀得以使下層金屬布線層側面的臺階突變趨于緩和，由此結構可以防止上層金屬布線層的斷裂及蝕刻不干凈，防止下層金屬布線層出現異常析出小丘，從而獲得高可靠性的多層布線構造。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 半導體器件 及其 制造 方法 | ||
【主權項】：
1、多層布線半導體器件，其特征為具有半導體器件形成于其上的襯底，由與上述襯底不同的材料加工成形的，用于在電氣上連通設置在上述襯底上的半導體器件的下層布線膜、設置在下層布線膜兩側壁的側墻，在上述下層布線膜上隔著層間絕緣膜而設置的上層布線膜。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于株式會社日立制作所，未經株式會社日立制作所許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://m.szxzyx.cn/patent/86103174/，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
