[其他]半導體陶瓷的組成無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 87106154 | 申請日： | 1987-09-02 |
| 公開（公告）號： | CN87106154A | 公開（公告）日： | 1988-03-16 |
| 發(fā)明（設計）人： | 小野秀一;板垣秋一;矢作正博 | 申請（專利權）人： | TDK株式會社 |
| 主分類號： | H01B3/12 | 分類號： | H01B3/12;C04B35/00 |
| 代理公司： | 中國專利代理有限公司 | 代理人： | 肖掬昌,杜有文 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 邊界絕緣型半導體陶瓷電容器用的一種半導體陶瓷的組成；能使該電容器呈現(xiàn)有所增加的介電常數(shù)、令人滿意的頻率特性和溫度特性以及有所降低的介質(zhì)損耗。該組成包括SrTiO3基本組分和由CaTiO3、Y和Nb組成的次要組分。該組成還含Mn和SiO2，它們分別能增加電容器的絕緣電阻和擴大(SrO+CaO)/TiO的適用范圍。此外，還有一種組成包含SrTiO3基本組分和由CaTiO3、BaTiO3，Y和Nb組成的次要組分。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 陶瓷 組成 | ||
【主權項】：
1、一種半導體陶瓷的組成，其特征在于它包括：一個含SrTiO3的基本組分；以及一個含CaTiO3、Y和Nb的次要組分；所說CaTiO3占0.1至2.0克分子%，而Y和Nb分別存在于按組成計算占0.1至0.4克分子%的Y2O3和Nb2O5基體中。
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