[其他]半導體元件無效
| 申請號： | 87106746 | 申請日： | 1987-10-01 |
| 公開（公告）號： | CN87106746A | 公開（公告）日： | 1988-04-13 |
| 發明（設計）人： | C·克里斯蒂安·阿巴斯;延斯·戈布雷希特;霍斯特·格呂寧;揚·福博利爾 | 申請（專利權）人： | BBC勃朗·勃威力有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/06 | 分類號： | H01L29/06;H01L29/74 |
| 代理公司： | 中國專利代理有限公司 | 代理人： | 肖掬昌,杜有文 |
| 地址： | 瑞士*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 對一種在半導體襯底中具有各種不同摻雜層(2，3，4，5)的半導體元件進行了電氣性能方面的改進，方法是用深腐蝕坑(10)局部減少載流區襯底的厚度，同時基本上保持半導體襯底原有的機械穩定性。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 元件 | ||
【主權項】：
1、一種具有大面積半導體襯底(1)在對向配置的電極之間有多個不同摻雜層的半導體元件，其特征在于，為了改善該元件的電氣性能，至少在半導體襯底(1)的一側引入深腐蝕坑(10)，以減少半導體襯底(1)載流區的厚度。2、如權利要求1所述的半導體元件，其特征在于：（甲）半導體襯底（1）具有能通過柵極加以關斷的（GTO型）半導體開關元件層系或場控制型半導體開關元件（FCTh）層系，該層系配置在陽極與陰極之間，（乙）半導體襯底（1）在陰極側具有一柵-陰結構，該柵-陰結構按階梯形式構成，在該結構中，多個陰極指（8）從更深配置的柵極平面突出，形成具有中介柵區的控制結構（丙）腐蝕坑（10）配置在控制結構對向的陽極側。
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