[其他]專用于沉積大面積薄膜的平面磁控濺射源無效
| 申請號： | 88203433 | 申請日： | 1988-02-10 |
| 公開（公告）號： | CN88203433U | 公開（公告）日： | 1988-11-30 |
| 發明（設計）人： | 王德苗 | 申請（專利權）人： | 浙江大學 |
| 主分類號： | C23C14/36 | 分類號： | C23C14/36 |
| 代理公司： | 浙江大學專利代理事務所 | 代理人： | 連壽金 |
| 地址： | 浙江省杭*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 一種專用于沉積大面積薄膜的平面磁控濺射源，其磁場由條狀靜止的外磁組件和能作往復運動的內磁組件產生，能對靜止的大面積工件表面均勻地鍍覆陽光控制膜、低輻射膜、鏡面膜及導電膜。適用于鍍覆大面積的工件，如大型建筑玻璃、汽車護柵、露天字牌、大型平面鏡等。是一種靶材利用率高、耗能小、膜層均勻度高、投資少效益高的新型濺射源。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 專用 沉積 大面積 薄膜 平面 磁控濺射 | ||
【主權項】：
1、一種專用于沉積大面積薄膜的平面磁控濺射源，包括一個水冷器，一個磁場源，一個陰極靶，一個屏蔽罩，其特征在于磁場源由二個互相平行的外磁組件[Ia][Ib]和多個一字形排列、垂直于外磁組件[Ia][Ib]、并能在外磁組件[Ia][Ib]之間沿平行于外磁組件[Ia][Ib]方向作往復運動的內磁組件[Ⅱa][Ⅱb]組成；濺射鍍膜時，陰極靶[11]靶面受隨內磁組件[Ⅱa][Ⅱb]作同步運動的等離環離子掃描刻蝕，在陰極靶[11]正上方靜止的大面積工件上沉積薄膜。
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